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英特爾CEO:美日荷聯(lián)手打壓,中國芯片技術(shù),將落后10年

2024-01-23 來源:科技專家
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關(guān)鍵詞: 中國芯 臺積電 芯片

中國芯片技術(shù),到底落后全球頂尖技術(shù)有多少年?


去年上半年的時候,大家認(rèn)為是8-10年左右,因為中國大陸明面上的技術(shù)是14nm,而臺積電在上半年已經(jīng)實現(xiàn)了3nm,14nm到3nm,中間相差了10nm、7nm、5nm、3nm這么四代,也就是10年左右。


不過到了去年下半年,情況又不一樣了,華為麒麟9000S橫空出世,這顆芯片的性能能夠媲美高通5nm芯片驍龍888,而從晶體管密度來看,達到了7nm的水準(zhǔn)。


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所以大家認(rèn)為,中國大陸和全球頂尖芯片技術(shù),其實相差不過2代,就是7nm到3nm的距離,中間,實際只有5年左右。


因為臺積電是在2018年實現(xiàn)7nm的,我們在2023年,中間不就是隔了5年么?


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不過,大家也都清楚,在這顆芯片發(fā)布之后,美國又升級了芯片禁令,對AI芯片、半導(dǎo)體設(shè)備等的禁運要求更嚴(yán)格了。


同時日本、荷蘭也聽從美國的,全面執(zhí)行了禁令,特別是日本,很多40nm以下的半導(dǎo)體設(shè)備,如果要出口到中國來,都要許可證。


而ASML的先進DUV浸潤式光刻機許可證,也被吊銷了,這對于中國大陸發(fā)展先進芯片工藝而言,確實又受到了一定的影響。


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也因為如此,在近日的2024年度“達沃斯世界經(jīng)濟論壇”上,英特爾CEO帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 稱,在美日荷的聯(lián)合限制之下,中國與全球頂尖晶圓廠的技術(shù)差距為10年!


他認(rèn)為,隨著美國、日本、荷蘭的聯(lián)手,接下來中國芯片產(chǎn)業(yè)要追趕全球頂尖水平,會比較困難,因為半導(dǎo)體設(shè)備的限制,會阻礙中國半導(dǎo)體制造業(yè)的追趕。


他說,美國、荷蘭、日本的政策,在10nm到7nm中設(shè)了一個底線,中國現(xiàn)有的工具,只能生產(chǎn)14nm,最多到7nm,突破不了這個底線,而臺積電、三星、intel的技術(shù),已經(jīng)從3nm邁向2nm,甚至看向1nm去了……


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對此,不知道大家怎么看?理論上來看,確實是這么一個事情,如果我們不能有效且快速的突破7nm,那么未來落后10年也是很可能的。


但這只是表面理論上,接下來會不會這樣,就只有讓我們拭目以待了,我們也不可能一直原地踏步,所以想必英特爾CEO說的這種情況,肯定不會出現(xiàn)。



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