中國芯片技術(shù)，到底落后全球頂尖技術(shù)有多少年？

去年上半年的時候，大家認(rèn)為是8-10年左右，因?yàn)橹袊箨懨髅嫔系募夹g(shù)是14nm，而臺積電在上半年已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了3nm，14nm到3nm，中間相差了10nm、7nm、5nm、3nm這么四代，也就是10年左右。

不過到了去年下半年，情況又不一樣了，華為麒麟9000S橫空出世，這顆芯片的性能能夠媲美高通5nm芯片驍龍888，而從晶體管密度來看，達(dá)到了7nm的水準(zhǔn)。

所以大家認(rèn)為，中國大陸和全球頂尖芯片技術(shù)，其實(shí)相差不過2代，就是7nm到3nm的距離，中間，實(shí)際只有5年左右。

因?yàn)榕_積電是在2018年實(shí)現(xiàn)7nm的，我們在2023年，中間不就是隔了5年么？

不過，大家也都清楚，在這顆芯片發(fā)布之后，美國又升級了芯片禁令，對AI芯片、半導(dǎo)體設(shè)備等的禁運(yùn)要求更嚴(yán)格了。

同時日本、荷蘭也聽從美國的，全面執(zhí)行了禁令，特別是日本，很多40nm以下的半導(dǎo)體設(shè)備，如果要出口到中國來，都要許可證。

而ASML的先進(jìn)DUV浸潤式光刻機(jī)許可證，也被吊銷了，這對于中國大陸發(fā)展先進(jìn)芯片工藝而言，確實(shí)又受到了一定的影響。

也因?yàn)槿绱?，在近日?024年度“達(dá)沃斯世界經(jīng)濟(jì)論壇”上，英特爾CEO帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 稱，在美日荷的聯(lián)合限制之下，中國與全球頂尖晶圓廠的技術(shù)差距為10年！

他認(rèn)為，隨著美國、日本、荷蘭的聯(lián)手，接下來中國芯片產(chǎn)業(yè)要追趕全球頂尖水平，會比較困難，因?yàn)榘雽?dǎo)體設(shè)備的限制，會阻礙中國半導(dǎo)體制造業(yè)的追趕。

他說，美國、荷蘭、日本的政策，在10nm到7nm中設(shè)了一個底線，中國現(xiàn)有的工具，只能生產(chǎn)14nm，最多到7nm，突破不了這個底線，而臺積電、三星、intel的技術(shù)，已經(jīng)從3nm邁向2nm，甚至看向1nm去了……

對此，不知道大家怎么看？理論上來看，確實(shí)是這么一個事情，如果我們不能有效且快速的突破7nm，那么未來落后10年也是很可能的。

但這只是表面理論上，接下來會不會這樣，就只有讓我們拭目以待了，我們也不可能一直原地踏步，所以想必英特爾CEO說的這種情況，肯定不會出現(xiàn)。