Intel的CEO基辛格揚(yáng)言，在美國(guó)與日荷聯(lián)盟的管制下，中國(guó)芯片工藝將至少比美國(guó)落后10年時(shí)間，不過在他說話不久，中國(guó)就連連公布重要芯片技術(shù)，狠狠打臉，說明他們的圖謀很難成為現(xiàn)實(shí)。

首先是中國(guó)一家科技企業(yè)公布了新款的芯片9010，上一代芯片9000S已被證實(shí)達(dá)到7納米的水平，9010芯片的性能得以進(jìn)一步提升，業(yè)界人士認(rèn)為這可能已接近5納米工藝，凸顯出中國(guó)芯片仍然在突破，芯片設(shè)備并未能完全阻止中國(guó)芯片工藝的發(fā)展。

對(duì)此浸潤(rùn)式光刻機(jī)之父林本堅(jiān)就表示，中國(guó)芯片完全可以以現(xiàn)有的DUV光刻機(jī)開發(fā)5納米工藝，只不過如此做可能導(dǎo)致成本過高，也證明了中國(guó)只要下功夫完全可以用DUV光刻機(jī)生產(chǎn)5納米工藝。

這是對(duì)現(xiàn)有的硅基芯片技術(shù)進(jìn)行升級(jí)，跟隨的是美國(guó)主導(dǎo)的硅基芯片技術(shù)路線，這條路線目前確實(shí)受到美國(guó)的影響，不過顯然中國(guó)芯片和美國(guó)芯片的工藝技術(shù)并未有10年那么大，兩者之間只是隔了3納米、5納米兩代技術(shù)而已，臺(tái)積電在2018年量產(chǎn)7納米，至今僅相隔6年，而如果國(guó)產(chǎn)芯片真的接近5納米水平，那就只有3年差距而已。

值得注意的是美國(guó)的芯片工藝其實(shí)落后于臺(tái)積電，Intel就量產(chǎn)7納米不久，即使Intel指它的7納米相當(dāng)于臺(tái)積電的5納米，與中國(guó)芯片的技術(shù)也不過是相差3年左右罷了，Intel試圖在明年量產(chǎn)2納米工藝，如此激進(jìn)地推進(jìn)技術(shù)升級(jí)，不知能否成功，畢竟它在7納米、10納米上都先后受挫而延遲數(shù)年量產(chǎn)呢。

如果說在傳統(tǒng)的硅基芯片方面，中國(guó)還只能跟隨美國(guó)的腳步，那么中國(guó)已開辟新的芯片技術(shù)路線，繞開美國(guó)主導(dǎo)的硅基芯片技術(shù)，這將成為中國(guó)芯片彎道超車的機(jī)會(huì)，進(jìn)而取得先進(jìn)芯片技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

中國(guó)和美國(guó)都在發(fā)展量子計(jì)算技術(shù)，外媒認(rèn)為在這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)方面，中國(guó)已與美國(guó)處于同一起跑線，兩者沒有太大差距，甚至中國(guó)還有一些領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

中國(guó)在同時(shí)發(fā)展光量子、超導(dǎo)量子技術(shù)，這都被認(rèn)為是量子技術(shù)的方向，日前中國(guó)的本源量子更宣布它的最新一代量子計(jì)算機(jī)本源悟空不僅完成了國(guó)內(nèi)3萬多項(xiàng)計(jì)算任務(wù)，還開放給全球科學(xué)家，至今已有30多個(gè)訪問得到批準(zhǔn)，其中有相當(dāng)比例的申請(qǐng)要求來自美國(guó)科學(xué)家，相比之下美國(guó)則沒有開放量子計(jì)算。

這凸顯出中國(guó)對(duì)于自己的量子計(jì)算技術(shù)擁有充分的信心，敢于讓美國(guó)科學(xué)家來驗(yàn)證相關(guān)的技術(shù)，量子芯片將成為中國(guó)實(shí)現(xiàn)芯片技術(shù)取得領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的機(jī)會(huì)，而且中國(guó)已籌建了全球第一條量子芯片生產(chǎn)線，全數(shù)采用國(guó)產(chǎn)的設(shè)備，設(shè)備不再是中國(guó)量子芯片發(fā)展的卡脖子難題。

可以說Intel的CEO基辛格認(rèn)為美國(guó)可以一直阻止中國(guó)發(fā)展先進(jìn)芯片技術(shù)，甚至保持落后美國(guó)10年的狀況，完全是幻想，中國(guó)科技行業(yè)已多方布局，特別是量子芯片技術(shù)的發(fā)展將成為中國(guó)趕超美國(guó)的機(jī)會(huì)，這正是美國(guó)所擔(dān)憂的。