眾所周知，邏輯芯片技術(shù)前進方向是工藝越來越小，所以我們看到臺積電等廠商，將芯片工藝不斷的前進，從28nm，到22nm，14nm，再10nm、7nm……3nm。

目前有兩大晶圓廠商已經(jīng)實現(xiàn)了3nm，那么接下來就是2nm、1.4nm、1nm……

但3D NAND存儲芯片不一樣，廠商們測試發(fā)現(xiàn)，當(dāng)NAND芯片的制程工藝進入到18nm之后，就無法再微縮下去了，不能說再推進到14nm，10nm，7nm等，不是技術(shù)不行，而是有其它問題。

廠商們發(fā)現(xiàn)，當(dāng)芯片工藝到了18nm之后，再微縮的話，3D NAND閃存就會不穩(wěn)定，工藝越先進，越不穩(wěn)定，而對于存儲芯片而言，最重要的就是數(shù)據(jù)安全，不穩(wěn)定的芯片，這肯定是不行的。

所以我們看到，這些閃存芯片廠商們，在18nm之后，就不再執(zhí)著于推進芯片工藝，而是轉(zhuǎn)向了另外一條路，那就是多層堆疊，像蓋房子一樣往上多蓋層數(shù)，堆疊的層數(shù)越高，存儲密度越高，讀寫速度越快。

所以后來，這些3D NAND廠商們，就主攻堆疊技術(shù)，在2016年實現(xiàn)了64層堆疊后，之后就進入了堆疊的高速通道。

以三星為例，2018年實現(xiàn)96層，2019年實現(xiàn)128層，2021年實現(xiàn)176層，2022年搞定236層，速度越來越快。其它存儲芯片廠商和三星進度稍不一樣，但大差不差，基本處于同一水準(zhǔn)。

而國產(chǎn)廠商長存，也在2022年搞定了232層堆疊技術(shù)，并且是全球第一家量產(chǎn)的廠商，打破了三星、SK海力士、美光的壟斷。

在這樣的壓力之下，三星等巨頭，肯定也是想不斷突破，拉開與其它廠商的差距，這不三星近日有了一個3D NAND閃存的堆疊技術(shù)計劃。

按照三星的計劃，2024年是V9版本，310層堆疊技術(shù)，然后不斷前進，到2030年時，推出V13版本，實現(xiàn)1058層堆疊，到2031年時，是V14版，1428層堆疊……

不過，3D NAND閃存要堆疊，也沒有想象中的那么簡單，畢竟堆疊層數(shù)越多，芯片的厚度就越高，這些問題要怎么解決，還需要三星等廠商，一步一步往前去研究。