近期美光公司正式發(fā)布了包括GDDR7和HBM4E內(nèi)存技術(shù)在內(nèi)的顯存路線圖。目前美光最高規(guī)格的GDDR6X顯存最高運(yùn)行帶寬為24Gbps，顯存容量為16GB。

根據(jù)美光發(fā)布的路線圖，將在2024年中推出GDDR7顯存，運(yùn)行帶寬為32Gbps，容量為16-24Gb；到2026年會推出更快的GDDR7顯存，帶寬為36Gbps，容量采用超過24Gb。

而英偉達(dá)的下一代顯卡RTX 50系列基本確定在2025年發(fā)布，到那時GDDR7顯存應(yīng)該也基本成熟了，首發(fā)搭載問題不大。

美光還將在2024年推出8層堆疊的AI和數(shù)據(jù)中心專用帶寬超1.2TB/s的HBM3E內(nèi)存；并于2024年底2025年年初推出12層堆疊容量為36GB的HBM3E。到2026年美光將推出12層和16層堆疊的HBM4，帶寬超過1.5TB/s；并在2028年發(fā)布12層和16層堆疊的HBM4E，帶寬可達(dá)2TB/s以上。

在內(nèi)存方面，美光將在2024年中推出LPCAMM2內(nèi)存，帶寬為8533Mbps；到2026年將推出帶寬為9600Mbps的LPCAMM2內(nèi)存。


三星搶先一步亮相GDDR7顯存技術(shù)

“2023年三星內(nèi)存技術(shù)日”上，三星再次更新了關(guān)于其GDDR7顯存的技術(shù)信息。

自去年10月份三星正式公布GDDR7顯存以來，就一直受到了廣泛關(guān)注，如今三星帶來了關(guān)于該技術(shù)更多的細(xì)節(jié)和改進(jìn)。據(jù)三星官方介紹，在過去的一年里，通過精心研發(fā)設(shè)計，在改善GDDR7顯存的動態(tài)功耗方面取得了顯著的成果。

通過新的額外時鐘控制，GDDR7顯存的待機(jī)功耗較之前的GDDR6降低了50%，進(jìn)一步降低了設(shè)備的整體功耗。

在性能上，三星表示，與目前最快的24Gbps GDDR6 DRAM相比，GDDR7顯存的性能提升了40%、能效提升了20%。

在速度方面，三星首批GDDR7產(chǎn)品的額定傳輸速度最高32Gbps，比GDDR6顯存提升了33%，在384位總線接口時，實(shí)現(xiàn)了高達(dá)1.5TB/s的帶寬。

此外，三星還強(qiáng)調(diào)GDDR7顯存將采用專門針對高速工作負(fù)載進(jìn)行優(yōu)化的技術(shù)，使得內(nèi)存能夠在高強(qiáng)度工作下穩(wěn)定運(yùn)行。同時還將提供低工作電壓選項(xiàng)，專為筆記本電腦等需要謹(jǐn)慎用電的設(shè)備而設(shè)計。除了36Gbps的GDDR7顯存外，三星還展示了速度更高的顯存樣品，但目前還不清楚后期能都實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。


HBM4為時尚早，明年市場主流還得看HBM3與HBM3e

自2014年首款硅通孔HBM產(chǎn)品問世至今，HBM技術(shù)已經(jīng)更新迭代出多款產(chǎn)品，分別有HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3e等。

原廠規(guī)劃方面，此前集邦咨詢調(diào)查顯示，兩大韓廠SK海力士（SK hynix）、三星（Samsung）先從HBM3開發(fā)，代表產(chǎn)品為NVIDIA H100/H800以及AMD的MI300系列，兩大韓廠預(yù)計于2024年第一季送樣HBM3e；美系原廠美光（Micron）則選擇跳過HBM3，直接開發(fā)HBM3e。

HBM3e將由24Gb mono die堆棧，在8層（8Hi）的基礎(chǔ)下，單顆HBM3e容量將一口氣提升至24GB，此將導(dǎo)入在2025年NVIDIA推出的GB100上，故三大原廠預(yù)計要在2024年第一季推出HBM3e樣品，以期在明年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。

除了HBM3、HBM3e之外，最新消息顯示，存儲大廠還在規(guī)劃推出下一代HBM——HBM4。

近日，三星電子副社長、DRAM產(chǎn)品與技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人黃尚俊對外表示，三星電子已開發(fā)出9.8Gbps的HBM3E，計劃開始向客戶提供樣品。同時，三星正在開發(fā)HBM4，目標(biāo)2025年供貨。據(jù)悉，三星電子正開發(fā)針對高溫?zé)崽匦詢?yōu)化的非導(dǎo)電粘合膜（NCF）組裝技與混合鍵合（HCB）等技術(shù)，以應(yīng)用于HBM4產(chǎn)品。

9月韓媒報道表示，為了掌握快速成長的HBM市場，三星將大幅革新新一代產(chǎn)品制程技術(shù)，并推出HBM4產(chǎn)品。據(jù)悉，HBM4內(nèi)存堆棧將采用2048位內(nèi)存接口 。此前所有HBM堆棧都采用1024位接口。接口寬度從每堆棧1024位增加到每堆棧2048位，足以可見HBM4具備的變革意義。

盡管HBM4將有大突破，但它畢竟不會很快到來，談應(yīng)用以及普及為時尚早。業(yè)界指出，當(dāng)前HBM市場以HBM2e為主，未來HBM3與HBM3e將挑起大梁。

集邦咨詢調(diào)查顯示，當(dāng)前HBM市場主流為HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多數(shù)CSPs自研加速芯片皆以此規(guī)格設(shè)計。同時，為順應(yīng)AI加速器芯片需求演進(jìn)，各原廠計劃于2024年推出新產(chǎn)品HBM3e，預(yù)期HBM3與HBM3e將成為明年市場主流。

以HBM不同世代需求比重而言，據(jù)TrendForce集邦咨詢表示，2023年主流需求自HBM2e轉(zhuǎn)往HBM3，需求比重分別預(yù)估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續(xù)放量，2024年市場需求將大幅轉(zhuǎn)往HBM3，而2024年將直接超越HBM2e，比重預(yù)估達(dá)60%，且受惠于其更高的平均銷售單價（ASP），將帶動明年HBM營收顯著成長。