近日，據(jù)美國加利福尼亞北區(qū)法院公布的信息，我國最大的閃存芯片制造商長江存儲已于11月9日起訴美光科技有限公司及全資子公司美光消費(fèi)產(chǎn)品集團(tuán)有限責(zé)任公司侵犯其8項(xiàng)美國專利。長江存儲表示，此次訴訟旨在終止美光廣泛且未經(jīng)授權(quán)使用長江存儲專利創(chuàng)新。

長江存儲是我國在閃存芯片領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，擁有多項(xiàng)核心技術(shù)和專利。美光則是全球知名的存儲芯片制造商，業(yè)務(wù)遍及全球各地。此次訴訟引發(fā)了市場的高度關(guān)注，意味著長江存儲將捍衛(wèi)自身的專利權(quán)益，同時(shí)也反映出我國企業(yè)在面對國際競爭中的堅(jiān)定立場。

據(jù)了解，長江存儲在專利侵權(quán)起訴書中稱，美光的多款固態(tài)硬盤產(chǎn)品涉嫌侵犯了長江存儲的8項(xiàng)專利，這些專利涉及到3D NAND存儲器的形成方法、控制方法、直通陣列接觸（TAC）、讀取方法和多層堆疊等方面。此次訴訟，長江存儲要求法院禁止美光繼續(xù)使用侵權(quán)技術(shù)，并賠償損失和訴訟費(fèi)用。

對于此次訴訟，長江存儲表示，美光未經(jīng)授權(quán)使用長江存儲專利創(chuàng)新，給長江存儲帶來了巨大的經(jīng)濟(jì)損失。通過訴訟，長江存儲希望捍衛(wèi)自身的專利權(quán)益，維護(hù)企業(yè)的合法權(quán)益。

值得注意的是，此次訴訟正值全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭激烈的時(shí)期。近年來，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)得到了國家的大力支持，取得了顯著的成果。然而，在關(guān)鍵技術(shù)和專利方面，我國企業(yè)仍需努力，以提高在全球市場的競爭力。

長江存儲此次在美國起訴美光，表明了我國企業(yè)在面對國際競爭中的堅(jiān)定立場和捍衛(wèi)專利權(quán)益的決心。同時(shí)，此次訴訟也將對我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生積極影響，提高企業(yè)的創(chuàng)新意識和專利保護(hù)意識，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。

在此次訴訟的背后，長江存儲將繼續(xù)加大研發(fā)投入，推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新，提高專利積累。同時(shí)，長江存儲還將加強(qiáng)與國內(nèi)外企業(yè)的合作，共同推動(dòng)閃存芯片產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步。

此次長江存儲在美國起訴美光，是我國企業(yè)在專利權(quán)益方面的一次重要嘗試。長江存儲表示，將繼續(xù)堅(jiān)定捍衛(wèi)自身的專利權(quán)益，為企業(yè)的長遠(yuǎn)發(fā)展創(chuàng)造有利條件。同時(shí)，此次訴訟也將對我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生積極影響，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新和發(fā)展。

面對未來，長江存儲將繼續(xù)加大技術(shù)創(chuàng)新力度，提高專利積累，為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)力量。同時(shí)，長江存儲也將加強(qiáng)與國內(nèi)外企業(yè)的合作，共同推動(dòng)閃存芯片產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步。在激烈的市場競爭中，長江存儲將堅(jiān)定捍衛(wèi)自身的專利權(quán)益，為企業(yè)的長遠(yuǎn)發(fā)展創(chuàng)造有利條件。