中商情報網(wǎng)訊：化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）設(shè)備主要用于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，可分為8英寸CMP設(shè)備、12英寸CMP設(shè)備和6/8英寸兼容CMP設(shè)備。

市場規(guī)模分析

近年來，全球CMP市場規(guī)模總體呈增長趨勢。中商產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2024-2029年中國CMP設(shè)備行業(yè)市場前景預(yù)測及未來發(fā)展趨勢研究報告》數(shù)據(jù)顯示，2019-2020年，受全球半導(dǎo)體景氣度下滑影響，CMP設(shè)備市場規(guī)模有所下降。2022年，全球半導(dǎo)體行業(yè)景氣度回暖，CMP設(shè)備市場規(guī)模為27.78億美元，其中，我國CMP設(shè)備市場規(guī)模在全球市場占比23.97%。中商產(chǎn)業(yè)研究院分析師預(yù)測，2024年全球CMP設(shè)備市場規(guī)模將達(dá)29.1億美元。

數(shù)據(jù)來源：SEMI、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

未來發(fā)展趨勢

1.向高精密化與高集成化方向發(fā)展

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，芯片集成度不斷提高。一方面，芯片制程不斷縮小，另一方面，晶圓的尺寸在不斷擴(kuò)大，主流晶圓尺寸已經(jīng)從4英寸、6英寸發(fā)展至現(xiàn)階段的8英寸、12英寸。此外，芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)也日趨復(fù)雜。隨著芯片制程的縮減、晶圓尺寸的增長以及芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)的日趨復(fù)雜，半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)對于CMP設(shè)備的平坦化效果、控制精度、系統(tǒng)集成度要求越來越高，CMP設(shè)備將向高精密化與高集成化方向發(fā)展。

2.CMP設(shè)備應(yīng)用將更為頻繁

隨著芯片制程工藝的升級，CMP設(shè)備市場規(guī)模將迎來新的增長點。隨著芯片制程的不斷縮小，CMP工藝在半導(dǎo)體生產(chǎn)流程中的應(yīng)用次數(shù)逐步增加，以邏輯芯片為例，65nm制程芯片需經(jīng)歷約12道CMP步驟，而7nm制程芯片所需的CMP處理則增加為30余道，CMP設(shè)備應(yīng)用將更為頻繁。

3.CMP設(shè)備應(yīng)用將更為廣泛

近年來，我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速。在技術(shù)層面，第三代半導(dǎo)體材料硬度相對較大，拋光時需要提供更大的拋光壓力，需要配備更大壓力的拋光頭及更精準(zhǔn)的壓力控制系統(tǒng)以滿足第三代半導(dǎo)體的拋光需求。綜上，隨著第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，CMP設(shè)備應(yīng)用將更為廣泛。