眾所周知，前段時(shí)間華為麒麟9000S芯片的橫空出世，讓大家都認(rèn)為，我們有了7nm芯片的制造能力。

因?yàn)榘凑胀饷讲捎秒娮语@微鏡，對(duì)這顆芯片進(jìn)行掃描并逆向分析后，得出其晶體管密度約為98MTr/mm2，也就是9800萬(wàn)個(gè)每平方毫米，與臺(tái)積電的7nm工藝差不多。

我們沒(méi)有EUV光刻機(jī)，那么這種等效于7nm的芯片，是如何造出來(lái)的？專(zhuān)業(yè)人士分析，采用浸潤(rùn)式光刻機(jī)，采用多重曝光的技術(shù)。

而浸潤(rùn)式光刻機(jī)，之前ASML是可以賣(mài)給我們的，ASML只有EUV不能賣(mài)給我們，所以我們可以利用浸潤(rùn)式光刻機(jī)，進(jìn)行多重曝光，最終搞定7nm。

事實(shí)上，美國(guó)去年的芯片禁令，是限制任何14nm及以下工藝的設(shè)備賣(mài)到中國(guó)來(lái)的，所以嚴(yán)格的來(lái)講，對(duì)美國(guó)而言，這種浸潤(rùn)式光刻機(jī)，其實(shí)算是一個(gè)“漏洞”了。

所以，當(dāng)麒麟9000S橫空出世之后，近日，美國(guó)終于再次出手，將這個(gè)“漏洞”堵住了。

按照近日再次升級(jí)的芯片禁令，針對(duì)光刻機(jī)，美國(guó)提出了更高的要求，針對(duì)193nm波長(zhǎng)、分辨率小于40nm的光刻機(jī)，其DCO值不能小于2.4，而去年針對(duì)這種光刻機(jī)，DCO的值是不小于1.5。

而ASML目前在售的所有浸潤(rùn)式光刻機(jī)中，相對(duì)最落后的一款型號(hào)是NXT:1980Di，波長(zhǎng)是193nm，分辨率是38nm，DCO值是1.6，介于1.5和2.4之間。

按照去年的禁令，DCO值是1.6大于1.5，所以是可以銷(xiāo)售的。按照這次升級(jí)的禁令，DCO值小于2.4了，所以又是不能銷(xiāo)售的，那么意味著ASML所有的浸潤(rùn)式光刻機(jī)，均無(wú)法賣(mài)到中國(guó)大陸來(lái)了。

很明顯，美國(guó)這次就是想將所有浸潤(rùn)式光刻機(jī)都堵住，不留任何破綻，讓我們想利用浸潤(rùn)式光刻機(jī)，采用多重曝光技術(shù)來(lái)生產(chǎn)7nm芯片都不行，從而阻止麒麟9000S這樣的芯片出現(xiàn)。

不過(guò)，大家也都清楚，之前這種浸潤(rùn)式光刻機(jī)沒(méi)有受限，所以國(guó)內(nèi)肯定買(mǎi)了很多，這些光刻機(jī)后續(xù)可以繼續(xù)使用，短時(shí)間之內(nèi)肯定沒(méi)太多問(wèn)題的。

但是，由于禁令限制，一旦所有浸潤(rùn)式光刻機(jī)都受限之后，后續(xù)的維護(hù)、保養(yǎng)、更換備件都會(huì)受影響，所以最終還得自研，靠自己來(lái)突破才行。