4 月21日消息 國星光電今日宣布，他們聯(lián)合華南理工大學(xué)聯(lián)合建立的廣東省半導(dǎo)體微顯示企業(yè)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的最新研究成果發(fā)表在國際著名期刊《ACS Nano》。
 
據(jù)介紹，該成果最終成功突破了量子點(diǎn)LED器件的發(fā)光效率瓶頸，刷新了同類器件最高發(fā)光效率行業(yè)紀(jì)錄，有望加快該新技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程，并鞏固國星光電在Mini/Micro LED顯示器件領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢地位。
 

據(jù)稱，目前常用的硒化鎘、鈣鈦礦等量子點(diǎn)的光致發(fā)光效率已超過85%，高于傳統(tǒng)稀土熒光粉材料，然而封裝制成LED器件的發(fā)光效率普遍在50-130 lm/W（理論效率＞200 lm/W），這一矛盾已困擾學(xué)界與行業(yè)多年。
 
因此， 國星光電提出直方通孔復(fù)合量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)及其強(qiáng)化出光機(jī)制，利用濕法機(jī)械攪拌把量子點(diǎn)高效組裝于粒徑匹配的直方通孔結(jié)構(gòu)，通孔結(jié)構(gòu)被低折射率硅樹脂填充，所形成折射率差異可抑制熒光光子在通孔內(nèi)部硅樹脂基材的傳播，顯著減少重吸收損耗。
 
得益于此，他們最終成功突破了量子點(diǎn)LED器件的發(fā)光效率瓶頸，獲得超過200 lm/W的同類器件最高發(fā)光效率行業(yè)紀(jì)錄（經(jīng)CNAS認(rèn)證第三方機(jī)構(gòu)檢測）。
 
據(jù)了解，量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換技術(shù)是Mini/Micro LED、OLED以及LCD寬色域顯示的共性關(guān)鍵技術(shù)，在超清顯示、虛擬顯示等新興領(lǐng)域極具應(yīng)用潛力。