眾所周知，目前芯片制造的工藝是光刻法，而光刻法之下，光刻膠是非常重要的材料。因?yàn)樗械墓杈A片上，都要涂上光刻膠，才能進(jìn)行光刻，沒有光刻膠，一切都是空談。

光刻膠目前對(duì)應(yīng)芯片工藝，也分為g線、i線、KrF、ArF、EUV這么5種。

其中g(shù)線、i線主要用于250nm以上工藝，KrF一般用于250nm-130nm工藝，ArF一般用于130nm-7nm，而EUV用于EUV光刻工藝，主要用于7nm以下工藝。

目前國(guó)內(nèi)EUV光刻膠無法生產(chǎn)，ArF中，尖端的ArFi也無法生產(chǎn)，只有相對(duì)落后的干式ArF能夠有3%左右的國(guó)產(chǎn)率。而KrF大約有10%左右的國(guó)產(chǎn)率，G線i線國(guó)內(nèi)有40%左右國(guó)產(chǎn)率。

目前國(guó)內(nèi)90%+的光刻膠，主要從日本進(jìn)口，數(shù)據(jù)顯示，2022年，我們從日本進(jìn)口了12.05億美元的光刻膠，占所有感光化學(xué)品的55%左右。

估計(jì)很多人就會(huì)問了，光刻膠是一種材料，為何我們不能買到日本的光刻膠，然后用儀器進(jìn)行分析，得到其具體的配比，材料等，然后復(fù)制出來呢？

畢竟像光刻機(jī)這種東西，可能需要很多的必不可少的元件，比如物鏡系統(tǒng)，光源什么的，國(guó)內(nèi)供應(yīng)鏈跟不上，想模仿也模仿不了。但光刻膠就是一化學(xué)物品，只要知道配方，比例，買來這些材料，應(yīng)該很容易就復(fù)制出來了啊。

事實(shí)上，事情沒有想象的這么簡(jiǎn)單，光刻膠的主要成分是樹脂，包括環(huán)氧樹脂、丙基酸樹脂、環(huán)氧丙烯酸樹脂等。

然后光刻膠中還有感光劑和引發(fā)劑，負(fù)膠主要使用光質(zhì)產(chǎn)酸劑，正膠主要使用DNQ，還有溶劑和添加劑。

這些成分的不同組合，不同濃度，甚至不同的分子式，都會(huì)影響光刻膠的分辨率、耐熱性、化學(xué)穩(wěn)定性、粘附性等，需要不斷研發(fā)和改進(jìn)工藝和添加劑的。

此外，就算你知道了這些成本，甚至配比，都沒這么容易制造出來，因?yàn)闃渲募兌取⑻砑觿┑募兌?，各種材料的合成技術(shù)，都是關(guān)鍵技術(shù)之一。

日本的這些光刻膠廠商，不是直接買現(xiàn)成材料來配的，還是從原材料進(jìn)行提煉的，純度是他們保證產(chǎn)品性能的關(guān)鍵之一，所以就算你知道配比，知道成分，如果提煉的材料純度達(dá)不到，也是不行的。

更何況，光刻膠的種類太多，配方和樹脂的分子結(jié)構(gòu)都是商業(yè)機(jī)密，你拿儀器去分析去檢測(cè)，也未必能夠得到真正精確的比例。

同時(shí)在具體的生產(chǎn)制造過程中，不僅僅要考慮這些材料，還需要考慮擴(kuò)大化、量產(chǎn)工藝的穩(wěn)定性等等。

所以說，任何一項(xiàng)核心技術(shù)，真不是模仿就可以搞定的，需要積累，也需要整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的配合，偷師這種辦法可以使用，但未必能夠真正有用，特別是在一些尖端技術(shù)上。

不過，這些年國(guó)產(chǎn)光刻膠發(fā)展迅速，機(jī)構(gòu)認(rèn)為，5年內(nèi)國(guó)產(chǎn)化光刻膠的滲透率可達(dá)到40%至50%。