眾所周知，中芯是中國大陸最牛、技術(shù)最先進(jìn)的芯片代工廠，于2019年實現(xiàn)了14nm FinFET工藝，也就是等同臺積電的16nm、三星的14nm工藝。

后來有很多媒體報道稱，在2019年實現(xiàn)了14nm工藝后，中芯又再接再厲，在2020年的時候，已經(jīng)有了N+1工藝，等同于10nm，還有N+2工藝試產(chǎn)，等同于7nm。

不過大家也都清楚，自14nm之后，中芯就再也沒有公開過任何工藝，究竟有沒有N+1或N+2，而N+1和N+2到底是什么工藝，都沒有說。

后來更是在財報中，都不再按工藝進(jìn)行營收比例的劃分，不再具體指出哪些工藝創(chuàng)造了多少收益。而在2023年，中芯官網(wǎng)把14nm工藝都下線了。

很多人表示，這是中芯刻意低調(diào)，不想讓無關(guān)人士知道自己到底擁有什么樣的技術(shù)，反正中芯的客戶知道就行了。

那么我們究竟有什么樣的工藝？最近華為正式給了我們答案，那就是7nm。

按照拆解，麒麟9000S雖然工藝未知，但從芯片面積、結(jié)構(gòu)等，可以看出來，基本等同于7nm工藝，又是中國大陸制造，那么結(jié)論就已經(jīng)非常明顯了。

不過芯片是什么時候造的，就不清楚了，這可能還是一個秘密。

目前全球進(jìn)入10nm以下工藝的芯片晶圓廠，僅4家，另外三家分別是臺積電、目前是3nm，三星目前也是3nm，intel是7nm。

如果中芯實現(xiàn)了7nm，就已經(jīng)是全球Top4的企業(yè)了。

而7nm工藝已經(jīng)與intel是站在同一條線上了，與臺積電也就2代的差距，中間只隔了一個5nm了。

至于隔了多少年，這個就不太好說，臺積電的7nm工藝是2018年量產(chǎn)的。

不過，大家也要清楚的意識到，從7nm要進(jìn)入到5nm，則是另外一個質(zhì)的跨越了，因為7nm進(jìn)入5nm，必須用到EUV光刻機(jī)，還需要用到其它與EUV光刻機(jī)配套的材料、設(shè)備等。

不像之前的7nm，是能夠與很多10nm、甚至14nm工藝的設(shè)備通用的，所以相對門檻沒那么高，只要進(jìn)入14nm后，說不定慢慢研究就能進(jìn)入7nm。

但相信中國芯，接下來一定會再次進(jìn)入5nm的，你覺得呢？就像之前大家都認(rèn)為不可能是7nm，偏偏我們就這樣實現(xiàn)了一樣。