雖然目前代工廠未知，工藝未知，甚至GPU、CPU核等都有很多未知，但不妨礙大家的興奮和猜測，那就是沒有EUV光刻機(jī)，我們能不能國產(chǎn)7nm的芯片？

事實上，這個問題已經(jīng)是老生常談了，ASML目前在售的DUV光刻機(jī)中，有四種高端的浸潤式光刻機(jī)，分別是NXT:2100i、NXT:2050i、NXT:2000i、NXT:1980Di。

這4種浸潤式光刻機(jī)，最高都是能夠?qū)崿F(xiàn)7nm芯片工藝的，怎么來實現(xiàn)呢，用的是多重曝光技術(shù)。

并且目前這種多重曝光技術(shù)，還有三種不同的方案，三種方案均可以在沒有EUV光刻機(jī)，僅有浸潤式光刻機(jī)的情況之下，實現(xiàn)7nm工藝。

這三種方式分別是LELE、LFLE、SADP。

具體來說，LELE是指將原本一層的電路，拆分成幾層進(jìn)行光刻機(jī)，這樣即使是DUV光刻機(jī)，也可以實現(xiàn)7nm。

LFLE與LELE差不多，區(qū)別就是LELE是直接拆分成幾層來光刻，而LFLE則是將第二層光刻膠加在第一層已被化學(xué)凍結(jié)但沒去除的光刻膠上，再次進(jìn)行光刻，形成兩倍結(jié)構(gòu)。

而SADP技術(shù)則與上面兩種完全不一樣了，SADP又稱側(cè)墻圖案轉(zhuǎn)移，用沉積、刻蝕技術(shù)提高光刻精度。

不過大家要注意的是，不管是LELE，還是LFLE，或者SADF技術(shù)，都提高了對刻蝕、 沉積光刻等工藝的技術(shù)要求，同時對工作臺的要求也非常高，因為多次對準(zhǔn)，不能有偏移。

而通過多重曝光影響也比較大，一是會導(dǎo)致良率降低，畢竟多曝光一次，誤差肯定就會變大，所以良率就會降低一些。

同時多曝光一次，就相當(dāng)于光刻的工時翻倍，效率降低一半，那么成本也會增加一倍。

所以如果光刻機(jī)精度跟得上的情況下，一般不會采用多次曝光的技術(shù)，因為效率降低，同時良率也會顯著下滑，最終導(dǎo)致成本可能成倍數(shù)上漲，非常不劃算的。

只有在買不到高精度的光刻機(jī)，又急需工藝較先進(jìn)的芯片時，就不去考慮成本，不得不采用多重曝光技術(shù)了。

所以我這也算是給大家解釋了，為什么沒有EUV光刻機(jī)，也能夠生產(chǎn)7nm芯片的原因。不過要進(jìn)入5nm，就必須使用EUV光刻機(jī)，因為DUV光刻機(jī)精度有限，不能無限的多次曝光，按照專業(yè)人士的說法，目前的DUV光刻技術(shù)下，最多4次曝光，最多也只能達(dá)到7nm。