按照媒體的說法，蘋果的iPhone15將于9月13日晚上發(fā)布。

而這次的iPhone將搭載全球首款3nm的手機Soc芯片A17，而這也是臺積電首顆量產(chǎn)的3nm芯片，更是全球首顆量產(chǎn)的3nm手機芯片。而在蘋果A17之后，像高通、聯(lián)發(fā)科、三星等，也將推出3nm的手機芯片，意味著芯片工藝，正式進入3nm時代。

而臺積電進入了3nm，從另外一方面來看，也意味著中國大陸的芯片制造技術，相比于臺積電，又落后了一代，從之前的落后2代，變成了落后4代。

目前中國大陸最先進的工藝是中芯的14nm工藝，而離3nm工藝，中間還有10nm、7nm、5nm這么三代，再加上3nm這么一代，一共是4代。如果按時間來算，臺積電于2015年就量產(chǎn)了16nm（等效于14nm工藝），而從16nm到3nm，臺積電花了8年時間，相當于這4代，按照正常情況，至少需要8年時間。大家都清楚，現(xiàn)在可不是正常情況，美國可是在打壓中國芯片產(chǎn)業(yè)，全面禁止14nm及以下的設備銷售，所以中國大陸要進入14nm以下工藝，時間未知……

事實上，當初美國沒有打壓的時候，中國大陸離臺積電工藝，其實是不遠的。

2015年臺積電量產(chǎn)16nm(14nm)，然后中芯國際在2019年量產(chǎn)14nm工藝，只相差4年。而2019年時，臺積電還在量產(chǎn)7nm工藝，意味著當時中芯國際只落后臺積電2代。當時中芯國際請到了梁孟松這個大神，梁孟松帶領中芯國際，迅速進入了14nm，并對10nm、7nm展開了研究，前期研究工作都已經(jīng)準備好了，只等EUV光刻機。誰知道這臺EUV光刻機沒有等到，反而等到了美國的禁令，不僅EUV光刻機買不到，連先進一點的DUV光刻機（浸潤式光刻機）都買不到了。

然后中芯與臺積電的差距，也就從落后2代4年，變成了落后4代8年了。


國產(chǎn)先進芯片三座大山

但對于中國芯片產(chǎn)業(yè)而言，可不是8年就能夠搞定，因為中國要發(fā)展先進芯片，還有3座大山要跨越。

第一座山是EDA，目前國內(nèi)的EDA產(chǎn)品，大多在14nm工藝上，少部分流程和環(huán)節(jié)達到了5nm，或3nm，而美國對先進的EDA進行了限制的，所以中國要實現(xiàn)3nm工藝，需要EDA也達到3nm才行。

第二座山是半導體設備，其中包括光刻機，但又不僅限光刻機，我們知道芯片制造需要幾百種設備，上千道工序，中間需要用到光刻機、刻機、離子注入等待設備，目前美國對半導體設備進行限制，14nm及以來工藝的設備，是被禁售的，中國想要實現(xiàn)先進工藝，需要突破。

第三座山是半導體材料，包括光刻膠，但又不僅限于光刻膠，芯片制造中，需要幾十種材料，比如光刻膠、各種特殊氣體，以及很多的靶材等等。拿光刻膠來說，目前國產(chǎn)光刻機，最多才達到40nm檔次，至于EUV光刻膠，還遙遙無期，要想實現(xiàn)先進工藝，還要研發(fā)出EUV光刻膠這樣的材料才行。

可見，中國芯片產(chǎn)業(yè)要進入先進工藝，比如7nm、5nm、3nm等，需要補的課還太多，EDA、半導體設備、半導體材料就是三座大山，需要一一跨越。


國產(chǎn)廠商各環(huán)節(jié)全面開花，覆蓋產(chǎn)品品類持續(xù)擴張

2023年6月29日至7月1日，SEMICON China 2023在上海召開，此次展會，國產(chǎn)廠商各環(huán)節(jié)全面開花，覆蓋產(chǎn)品品類持續(xù)擴張；日韓廠商積極參展，體現(xiàn)出政冷經(jīng)熱；美系廠商相對較少。我們整理了國內(nèi)設備及零部件公司的新產(chǎn)品進展。

富創(chuàng)精密：公司在投資者調(diào)研紀要中提到，以金屬零部件為基礎的如噴淋頭、閥門、靜電卡盤、加熱器等高端功能零部件采購成本高、周期長，公司正在積極布局研發(fā)。

北方華創(chuàng)：公司正式發(fā)布應用于晶邊刻蝕（Bevel Etch）工藝的12英寸等離子體刻蝕機Accura BE，實現(xiàn)對PR（光刻膠），OX（氧化物），SiN（氮化硅），Carbon（碳），Metal（金屬）等多類膜層材料的晶邊刻蝕工藝全覆蓋，實現(xiàn)國產(chǎn)晶邊干法刻蝕設備“零”的突破。

拓荊科技：公司在SEMICON展會展出其用于先進封裝的新品混合鍵合設備，根據(jù)公司公告，公司積極進軍高端半導體設備的前沿技術領域，研制了應用于晶圓級三維集成領域的混合鍵合（Hybrid Bonding）設備產(chǎn)品系列，同時，該設備還能兼容熔融鍵合（Fusion Bonding）。

華海清科：公司在SEMICON展會展出參股公司芯崳半導體的離子注入機，包括低能量大束流離子注入機(0.2-80KeV)、高能量H離子注入機 (0.3-2.0MeV)，此外還展出CMP系列設備、減薄設備、濕法設備等裝備。

微導納米：公司在SEMICON展會上發(fā)布用于半導體行業(yè)的第一代iTronix 系列PECVD和LPCVD薄膜沉積設備，下游應用覆蓋邏輯、存儲等領域。目前，微導納米iTronix系列CVD薄膜沉積設備已獲得客戶訂單，設備驗證進展順利。

芯源微：公司在SEMICON展會上發(fā)布新品KS-S300-TB臨時鍵合機，此前公司在6月8日在互動平臺表示，近年來，公司加深與國內(nèi)Chiplet封裝廠商的合作關系，已成功實現(xiàn)各類設備的批量導入。公司新產(chǎn)品臨時鍵合機、解鍵合機產(chǎn)品進展良好，截至2022年底，臨時鍵合機正在進行客戶端驗證。

盛美上海：公司在SEMICON展會上展出新品PECVD設備，可應用于SiO2、SiNx、Cabon、NDC薄膜沉積工藝，未來可以拓展至單片PEALD設備；前道涂膠顯影設備，支持ArF工藝，未來可拓展至i-line，KrF等光刻工藝。

華峰測控：本次SEMICON展會，公司推出針對SoC測試的STS8600全新測試機平臺；展出STS8200 PIM SiC/IGBT大功率模塊測試系統(tǒng)，最大短路電流12000A；STS8300校準機器人，可以自動適配不同的模擬和數(shù)字資源校準。

長川科技：公司在SEMICON展會展出其新品SoC數(shù)字芯片測試機D9016，專注于大規(guī)模集成電路IC市場開發(fā)的高密度、低綜合測試成本解決方案，包括: CPU，GPU、AI、RF芯片等應用。

至純科技：公司在SEMICON展會展出其濕法設備、工藝支持設備和整體解決方案。公司濕法設備已經(jīng)實現(xiàn)28nm節(jié)點全部工藝的機臺研制并取得訂單，同時在更先進制程節(jié)點的機臺開發(fā)進展順利且獲得部分工藝訂單并交付中。