目前的芯片制造流程，均是基于光刻流程，所以光刻機必不可少。

而按照光刻機的種類，目前可以分為EUV、DUV、KrF、G線/I線等。而DUV又分為浸潤式光刻機，干式光刻機。

其中EUV主要用于7nm以下工藝，浸潤式用于7-65nm，干式光刻機用于65-130nm，KrF用于130-350nm，而而G線/I線用于350nm+。

但EUV光刻機全球只有ASML一家能夠生產(chǎn)，所以可以說，全球的先進芯片產(chǎn)業(yè)，都被ASML卡住了脖子，只要ASML不賣EUV光刻機，沒有哪一家廠商能夠進入7nm工藝以下。

這當然是其它廠商不能忍的，所以其它的廠商，均想研發(fā)出新的技術，來替代EUV光刻機。

其中佳能是押注NIL納米壓印技術，就是像芯片的電路圖刻到一個章子上，再將這個章子蓋章一樣蓋到硅晶圓上，形成芯片。

不過目前這種技術，還處于早期階段，但佳能表示到2025年要進入5nm，讓大家繞開EUV光刻機，所以行不行，得看2025年。

而近日，另外一種技術又被眾多的廠商提及，特別是intel還表示有了一些突破，已經(jīng)用這種技術，搞定了18nm工藝，接下來有望進入到5nm，繞開EUV光刻機。

這種技術是什么呢，叫做DSA自組裝技術，它并不是新東西，實際上10多年前就提出來了。原理就是利用一些化學藥品，腐蝕硅晶圓，讓硅晶圓在控制下，直接生成電路圖。

不過早期，因為這種方法缺陷太大，生產(chǎn)的圖案可控性不強，所以一直被大家忽視了，尤其當EUV技術出來之后，大家都選擇了EUV光刻，很少有廠商去研究DSA了。

但現(xiàn)在摩爾定律快要失效了，光刻技術似乎已經(jīng)無法支撐摩爾定律的發(fā)展，所以像NIL、DSA技術，才再度興起，很多人覺得，利用NIL、DSA技術，或許可以給摩爾定律續(xù)命。

而英特爾通過研發(fā)，已經(jīng)實現(xiàn)了一種DSA增強的EUV多圖案化方法，最終金屬間距為18nm，電氣性能穩(wěn)健，于是DSA技術，似乎又被大家重視了起來。

當然，從18nm進入5nm，可能要很久，甚至永遠也進不了，但是很多企業(yè)還是表示有信心，覺得DSA肯定能夠搞定EUV搞定的事情，甚至還會做到更好。

所以未來，究竟是EUV技術牛，還是DSA技術好，或者NIL技術更強，只有用時間來證明了。

不過值得一提的，目前從DSA技術，或者NIL技術，以及EUV技術來看，中國都是處于相對落后的，這些技術的專利，主要還是掌握在國外廠商的手中，EUV技術是ASML，NIL技術是佳能，而DSA技術主要是美歐廠商，所以中國還得加油。