二維層狀半導(dǎo)體材料重要的半導(dǎo)體備選材料。然而，目前的不同成核點(diǎn)成核、晶疇生長拼接方法會在晶疇之間形成晶界，而且不能保證半導(dǎo)體薄膜的覆蓋率，無法制造大面積集成電路。

4月12日消息，北京大學(xué)物理學(xué)院、納光電子前沿科學(xué)中心、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室葉堉研究員課題組，提出了一種利用相變和重結(jié)晶過程，制備晶圓尺寸單晶半導(dǎo)體相碲化鉬(MoTe2)薄膜的新方法。

課題組以該薄膜為溝道材料，結(jié)合之前發(fā)展的大面積1T‘/2H/1T’相面內(nèi)異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管陣列技術(shù)，制備出100%良率器件，并具有很好的電學(xué)性能，且其電學(xué)性能表現(xiàn)出很好的均一性。

該工作以“Seeded 2D epitaxy of large-area single-crystal filmsof the van der Waals semiconductor 2H MoTe2”為題，于2021年4月9日在線發(fā)表于學(xué)術(shù)期刊《科學(xué)》(Science)上。

北京大學(xué)物理學(xué)院葉堉研究員為文章通訊作者，博士后徐曉龍為文章的第一作者。北京大學(xué)高鵬研究員、陳基研究員、徐萬勁高級工程師，山西大學(xué)韓拯教授為本項(xiàng)研究的主要合作者。這一工作得到了國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、國家自然科學(xué)基金、北京市自然科學(xué)基金、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室等支持。