昨天，韓國(guó)存儲(chǔ)芯片大廠SK海力士宣布，其最新的238層堆疊的NAND Flash芯片，開始量產(chǎn)了，正在與一家智能手機(jī)制造商測(cè)試，隨后會(huì)全面推出市場(chǎng)。

你沒有看錯(cuò)，2023年6月份，SK海力士的232層堆疊的NAND閃存芯片，才開始量產(chǎn)。僅僅落后了國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)半年時(shí)間。

要知道長(zhǎng)江存儲(chǔ)，于去年就量產(chǎn)了232層NAND閃存，全球第一家量產(chǎn)232層閃存的廠商，同時(shí)其232層的存儲(chǔ)顆粒，目前在市面上已經(jīng)大量出貨。

目前國(guó)內(nèi)那些價(jià)格便宜的PCIe4.0的國(guó)產(chǎn)SSD，采用的是就是長(zhǎng)江存儲(chǔ)232層的NAND芯片，具體的牌子就不要說了，基本上國(guó)產(chǎn)的便宜的SSD均是。

按照一般行業(yè)規(guī)律而言，落后半年多，那么整個(gè)市場(chǎng)對(duì)落后者是非常不友好的，因?yàn)轭I(lǐng)先半年的對(duì)手，已經(jīng)完成了大量出貨，市場(chǎng)占有率已經(jīng)提升了，落后者已經(jīng)失去了先機(jī)。

畢竟232層的NAND，在單位容量?jī)r(jià)格上會(huì)更便宜，因?yàn)閷訑?shù)越多，單位體積下的存儲(chǔ)密度會(huì)更高，這樣成本會(huì)低一點(diǎn)。

不過，情況在長(zhǎng)江存儲(chǔ)、SK海力士這里又不一樣了。原因是美國(guó)對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行了打壓，雖然長(zhǎng)江存儲(chǔ)提前半年量產(chǎn)了232層堆疊的NAND閃存，但問題是因?yàn)榇驂海洚a(chǎn)能沒法升級(jí)，因?yàn)槊绹?guó)將128層以上NAND閃存生產(chǎn)設(shè)備，進(jìn)行了封禁。

所以本來應(yīng)該大量出貨的232層NAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)因?yàn)楫a(chǎn)能問題，沒法大量出貨占領(lǐng)市場(chǎng)，大家可以看到長(zhǎng)存原廠的SSD，都不是采用232層堆疊的芯片……

所以可以說長(zhǎng)江存儲(chǔ)，其實(shí)是因?yàn)榇驂菏チ诉@個(gè)寶貴的半年的時(shí)間窗口期，導(dǎo)致SK海力士雖然晚半年推出，實(shí)際影響卻不會(huì)特別大。

之前很多人表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)能夠量產(chǎn)232層NAND閃存，這個(gè)打壓還有什么意義呢？實(shí)際上意義就在這里，讓長(zhǎng)江存儲(chǔ)沒法擴(kuò)產(chǎn)，然后空有技術(shù)，也沒產(chǎn)能，最終市場(chǎng)就還會(huì)是美光、三星、SK海力士等廠商的。

而長(zhǎng)江存儲(chǔ)靠著128層及以下的閃存顆粒來戰(zhàn)市場(chǎng)的話，則因?yàn)閷訑?shù)小，于是單位體積下的存儲(chǔ)密度低，從而單位容量的存儲(chǔ)芯片，成本會(huì)高一些，從而競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)沒這么大。

這就是美國(guó)的目的，就算你突破了，也讓你的產(chǎn)能跟不上，最終眼睜睜的看著比你技術(shù)落后的廠商還后來居上，占領(lǐng)了市場(chǎng)！