5 月 25 日消息，網(wǎng)信辦 5 月 21 日宣布：由于美光公司在華銷售的產(chǎn)品未通過網(wǎng)絡(luò)安全審查，故禁止國內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施的運(yùn)營者采購美光公司產(chǎn)品。因此，中國存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場空出了相當(dāng)大的一部分份額。

在這種情況下，各方面都在對這部分市場份額虎視眈眈。據(jù)稱，韓國政府已向美國進(jìn)行協(xié)商，要求白宮方面允許三星、SK 將在中國的半導(dǎo)體產(chǎn)量提高到 10%。同時(shí)，一位美國立法者堅(jiān)持要求韓國公司不要填補(bǔ)美光因制裁而留下的市場空白，意在阻止三星電子和 SK 海力士從中獲利。

據(jù)美國聯(lián)邦公報(bào)，韓國政府于 3 月 21 日就美國商務(wù)部公布的《半導(dǎo)體法》“護(hù)欄條款”細(xì)節(jié)提交了官方意見。在提交意見之前，它與韓國芯片制造商進(jìn)行了密切協(xié)商，要求美國政府將接受補(bǔ)貼的韓國公司提高其在中國半導(dǎo)體生產(chǎn)能力的限額提高到 10%。

在此背景下，韓國還要求美國政府明確“技術(shù)補(bǔ)償條款”的限制范圍。簡單來說，“技術(shù)補(bǔ)償條款”規(guī)定：如果與中國等受關(guān)注的實(shí)體開展聯(lián)合研究活動(dòng)，并向其提供技術(shù)許可，就必須返還補(bǔ)貼。

美國商務(wù)部提出的“護(hù)欄規(guī)則”要求，如果獲得政府補(bǔ)貼的公司在未來 10 年內(nèi)參與實(shí)質(zhì)性擴(kuò)大中國等受關(guān)注的外國實(shí)體的半導(dǎo)體生產(chǎn)能力的重大交易，就必須全額退還補(bǔ)貼。

具體來說，先進(jìn)半導(dǎo)體的實(shí)際產(chǎn)能限制在 5%，傳統(tǒng)半導(dǎo)體產(chǎn)能為 10%。目前，半導(dǎo)體業(yè)界一般將 12 ~ 14nm 制程的 DRAM 和 170 層以上的 3D NAND 閃存稱為先進(jìn)芯片，而三星電子和 SK 海力士的工廠正在生產(chǎn)這兩種產(chǎn)品。

對此，韓國政府要求將先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)能實(shí)際擴(kuò)大標(biāo)準(zhǔn)從 5% 提高到 10%。

韓國政府還要求美國政府明確“技術(shù)補(bǔ)償條款”的范圍?！凹夹g(shù)補(bǔ)償條款”是指：與中國企業(yè)進(jìn)行共同研究或向中國企業(yè)提供技術(shù)許可時(shí)，必須返還補(bǔ)貼。此外，韓國政府還要求美國政府在審查過程中不要要求企業(yè)提供敏感的技術(shù)及機(jī)密信息和數(shù)據(jù)，并與半導(dǎo)體企業(yè)簽署保密協(xié)議。