周四發(fā)布的一份行業(yè)報告顯示，全球DRAM芯片需求預計最早將在7月超過供應，這一變化將減輕因芯片低迷而陷入困境的半導體公司的壓力。市場研究公司集邦咨詢在其5月報告中預計，今年全球DRAM需求預計將超過1054億片，超過預估的1043億片的供應量。在4月的報告中，該公司曾預計今年DRAM年供應量為1550億片，需求為1460億片，預計芯片供應過剩將繼續(xù)損害全球芯片制造商的利潤。


存儲芯片部分需求出現(xiàn)急單

5月24日，據(jù)臺媒經(jīng)濟日報報道，存儲廠商華邦近期消費電子、電視、物聯(lián)網(wǎng)等三大應用客戶需求回溫，工控相關接單也持續(xù)發(fā)燙，客戶急單涌入，而且“量也不少”。DRAM廠商南亞科表示，今年一季度是產(chǎn)業(yè)庫存高點，在需求與供應端改善下，庫存正逐步去化，預期本季DRAM市況有望落底，公司在部分應用領域已出現(xiàn)急單。威剛則認為，4月底存儲芯片供應商減產(chǎn)態(tài)度明確后，DRAM現(xiàn)貨價已落底，有助強化第2季及下半年營運穩(wěn)健發(fā)展的動能。目前看來，下游庫存接近健康水位。

頭部原廠的出貨量也好轉(zhuǎn)。據(jù)Pulse News報導，多位半導體和證券業(yè)人士透露，三星本季DRAM出貨量估季增15%至20%，扭轉(zhuǎn)首季季減10%左右頹勢。SK海力士本季出貨量季增率估成長30%至50%，遠高于市場共識的20%，透露DRAM市場氛圍已改變。

芯片業(yè)庫存水準預計將在下半年回穩(wěn)。集邦預測，三星、SK海力士及美光等三大存儲制造商的庫存天數(shù)，將在第4季降至平均13周，少于第1季的平均16周。

TrendForce近期已調(diào)整了今年存儲芯片供應過剩率預估值：其中，將DRAM預估值從此前的0.9%調(diào)整至-1%，將NAND Flash預估值從3%調(diào)降為-0.5%——正值意為供過于求，負值則為相反。這或許也意味著，今年DRAM與NAND Flash有望實現(xiàn)供需平衡甚至輕微供不應求。

原本業(yè)界普遍預期，DRAM市況要到下半年才會逐步復蘇，隨三星、SK海力士本季出貨季成長率優(yōu)于預期，后續(xù)預計有更多廠商接續(xù)感受到市況回溫。

市場分析師把產(chǎn)業(yè)氛圍轉(zhuǎn)變，歸因于業(yè)界從去年開始持續(xù)降低庫存。此外，最近智能手機和服務器業(yè)者對供應合約的洽詢數(shù)量已增加，且高頻寬記憶體（HBM）和DDR5等高附加價值的DRAM需求成長，似乎幫助景氣復蘇。

DDR5等高附加價值產(chǎn)品的價格下跌趨勢似乎也已停滯。集邦最近上調(diào)本季的伺服器用32GB DDR5平均固定交易價格預測，從75美元調(diào)高到80至90美元，反映DDR5相較于DDR4的需求仍高。

三星證券指出，用于AI伺服器的128GB DDR5價格，比64GB DDR4高出十倍，而且訂單持續(xù)增加，高頻寬記憶體的需求也熱絡。

基于目前供需關系，有分析師進一步指出，行業(yè)景氣度位于底部區(qū)域，今年下半年需求有望觸底回升。

不過，TrendForce之前另一篇報告曾表示，由于DRAM及NAND Flash供應商減產(chǎn)不及需求走弱速度，部分產(chǎn)品第二季均價季跌幅有擴大趨勢。

如今SK海力士提高出貨量、三星減產(chǎn)未久再度增加出貨，是否會導致行業(yè)供需出現(xiàn)變化還有待觀察。

存儲周期底部企穩(wěn)，龍頭減產(chǎn)加速行業(yè)修復

按產(chǎn)品種類分，存儲市場主要分為 DRAM、NAND、NOR Flash，其中 DRAM占據(jù)主要的市場規(guī)模。

DRAM 供給格局頭部化效應明顯，韓系廠商占據(jù)主要份額。根據(jù)Trendforce，22Q4 全球前三大 DRAM 廠商分別為韓國三星、韓國海力士與美國美光，三家廠商市占率合計為 95.8%。

NAND 競爭格局較 DRAM 分散，三星仍占據(jù)龍頭地位；NOR Flash 龍頭主要為臺系與陸系廠商，兆易創(chuàng)新排名全球第三。

而從行業(yè)整體來看，存儲芯片行業(yè)或已周期觸底，即將迎來上升周期。

德邦證券指出以波谷算，存儲行業(yè)周期約為 3-3.5 年，目前處于周期筑底階段。相較于半導體其它行業(yè)，存儲芯片具有大宗商品屬性，國際龍頭會在下游新興需求誕生時提升自身產(chǎn)能；而當擴產(chǎn)落地時，行業(yè)進入供過于求周期，各廠商則會通過降價進行庫存去化。供給與需求的錯配使得存儲行業(yè)具更強的周期性。

可以看到，在13Q2、16Q1、19Q3 左右，行業(yè)龍頭合計營收增速處于周期谷底，對應增速分別為-7%、-29%、-38%。若以谷底計算，存儲行業(yè)周期約為 3-3.5 年。22Q4，行業(yè)龍頭合計營收增速為-44%，處于筑底階段。若以三年計算，本輪下行周期預計在23Q3 前后結(jié)束。

從價格看，反映 DRAM 價格的 DXI 指數(shù)已接近 2020 年低值，目前行業(yè)價量齊跌。從 22Q1 開始，DXI 指數(shù)進入下行通道，指數(shù)有 41712 跌至 23Q1 的 22199，目前價格指數(shù)已接近 2020 年年初的水平。

而伴隨國際各龍頭廠商的減產(chǎn)，存儲行業(yè)后續(xù)有望反轉(zhuǎn)向上。目前，三星、海力士等存儲龍頭大都宣布下調(diào)未來產(chǎn)量與資本開支額。其中，海力士 23 年資本支出同比減少50%以上；美光宣布將所有DRAM和NAND晶圓產(chǎn)量減少約20%，德邦證券預計行業(yè)有望于 23Q2逐漸企穩(wěn)，23Q3 逐步完成庫存去化，23Q4 迎來周期反轉(zhuǎn)。


國產(chǎn)替代全面進行時

根據(jù)ICInsights的統(tǒng)計信息，2021年全球存儲市場份額基本被六大公司所壟斷，具體份額如下：

DRAM市場：第一名、三星（韓國），市場份額為43.6%；第二名、SK海力士（韓國），市場份額為27.7%；第三名、美光（美國），市場份額為22.8%。三家公司合計占有94.1%的市場份額，可以說非常集中。

NAND 市場：第一名、三星（韓國），市場份額為34%；第二名、鎧俠（日本），市場份額為19%；第三名、西部數(shù)據(jù)（美國），市場份額為14%；第四名、美光（美國），市場份額為11%；第五名、SK海力士（韓國），市場份額為11%；第六名、英特爾（美國），市場份額為9%。六家公司合計掌握了98%的市場份額，同樣非常集中。

表面看起來，我們對這些公司依賴非常嚴重，但實際上，在存儲芯片領域，國產(chǎn)替代已經(jīng)全面開啟，美光就是最好的例子。

其空下的市場，將會全部由內(nèi)地公司取代，技術實力強大的長江存儲將會迅速擴大市場，帶動整個國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈。

上游設備、材料商，中游設計、制造、封測商，下游應用商將快速進行一次大規(guī)模的國產(chǎn)替代。

最為關鍵的是，此次國產(chǎn)替代以國家意志為主導，配合相關補貼、減稅等政策，為整個行業(yè)帶來全新的變化。

存儲芯片打響了第一槍，邏輯芯片、手機SoC、電腦CPU、GPU還遠嗎？