近日，有機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)了一份2022年全球DRAM+NAND全球市場(chǎng)排名情況。

從數(shù)據(jù)來(lái)看，三星一家獨(dú)占38.7%的份額，排名全球第一。然后是SK海力士，份額高達(dá)24%，也就是兩家韓系廠商合計(jì)占到了62.7%左右。

然后再是美光、鎧俠、西部數(shù)據(jù)。而中國(guó)存儲(chǔ)廠商，在全球的份額中，還是處于其它那一項(xiàng)，與合計(jì)一起占到4.6%。

事實(shí)上，目前整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)，雖然種類(lèi)繁多，比如有DRAM、有NAND、還有Nor flash等，但內(nèi)存（DRAM）和閃存（NAND Flash），兩者長(zhǎng)期占據(jù)了整個(gè)市場(chǎng)的56%和41%，在這兩大類(lèi)型前面，其它的存儲(chǔ)產(chǎn)品是可以忽略的。

這也意味著，目前在存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)，中國(guó)廠商的聲音并不大，不到5%的份額，影響也非常有限，并沒(méi)有網(wǎng)友們認(rèn)為非常有影響力。

不過(guò)，中國(guó)存儲(chǔ)芯片從0到4.6%的份額，這個(gè)成績(jī)，也確實(shí)是值得驕傲的，是肉眼可見(jiàn)的進(jìn)步了。

要知道，直到2017年，中國(guó)自主生產(chǎn)的內(nèi)存、閃存數(shù)量都一直是0，完完全全被卡住了脖子。

直到2016年7月，中國(guó)大陸第一家專(zhuān)攻NAND閃存的存儲(chǔ)芯片廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)，才低調(diào)成立。直到2017年底，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的實(shí)驗(yàn)室才誕生了第一款自主研發(fā)的3D閃存，當(dāng)時(shí)的堆疊層數(shù)只有32層，落后三星等廠商5年。

直到2018年，在中科院以及長(zhǎng)存眾多工程師的攻艱下，直到2018年，長(zhǎng)存發(fā)明了Xtacking架構(gòu)的新技術(shù)，才最終讓長(zhǎng)存儲(chǔ)的閃存，迅速的追上并超過(guò)了三星、美光等廠商。

類(lèi)似的故事，也發(fā)生在DRAM領(lǐng)域，專(zhuān)攻DRMA內(nèi)存的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)，是在2018年的才成立的。而在2019年，長(zhǎng)鑫在機(jī)緣巧合之下買(mǎi)到了德國(guó)內(nèi)存企業(yè)奇夢(mèng)達(dá)的遺產(chǎn)：1000萬(wàn)份內(nèi)存技術(shù)文件，終于DRAM內(nèi)存技術(shù)在大陸有了落地的可能。

后來(lái)慢慢的，長(zhǎng)鑫利用奇夢(mèng)達(dá)技術(shù)，在DDR3、DDR4等舊款內(nèi)存市場(chǎng)上，也慢慢的站穩(wěn)了腳，雖然與三星等從產(chǎn)能、技術(shù)上來(lái)講，差距巨大，但好歹也有了自己的聲音。

這也便有了2022年，中國(guó)在DRAM+NAND市場(chǎng)，有了4.6%左右的市場(chǎng)份額。

不過(guò)，大家要注意的是，目前不管是NAND閃存，還是DRAM內(nèi)存，要提升大規(guī)模制造的產(chǎn)能能力，需要龐大的資金支持。

同時(shí)其先進(jìn)制程的設(shè)備，都掌握在美國(guó)的手中，且目前美國(guó)已經(jīng)對(duì)存儲(chǔ)廠商動(dòng)起了手，先進(jìn)設(shè)備已經(jīng)限制了。

再加上其呈現(xiàn)周期性波動(dòng)，有高峰有低谷，所以存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)既需要踏準(zhǔn)技術(shù)浪潮的敏銳，又依賴(lài)舉國(guó)押注的魄力，還需要長(zhǎng)期的投入，要想在這場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中，取得勝利，真的不容易。

希望中國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商們，能夠踩準(zhǔn)節(jié)奏，押對(duì)技術(shù)，最終將韓、美廠商擊敗，讓中國(guó)存儲(chǔ)崛起于世界之巔。