在過去一年多時間里，存儲行業(yè)經歷了劇烈的價格調整，再加上市場需求逐步回升、庫存壓力得到釋放，今年下半年有可能將面臨轉機——預計今年Q2下跌行情將觸底，緊接著在Q3將迎來新的增長。

截至今年Q1，存儲市場有了更多的動態(tài)，伴隨存儲技術、互連標準的發(fā)展，存儲應用市場的發(fā)展出現(xiàn)新的趨勢。本文通過整理分析最近的存儲行情，總結了最新的行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀。

現(xiàn)狀一：本輪下跌周期或于今年Q2觸底

2022年，全球存儲器市場規(guī)模下降15%，達到1,392億美元。其中，NAND Flash約為600億美金，DRAM約為在790億美金。2022年全球NAND總生產量為6,100億GB當量，同比上漲6%，DRAM總生產量約1,900億GB當量，同比僅增長2%。

深圳市閃存市場資訊有限公司總經理邰煒認為，以上幾組數(shù)字代表著存儲器件總生產量增幅正在放緩。他指出，本輪存儲市場的發(fā)展主要可細分為幾個階段：

• 2020年2月至9月，新冠疫情初期，隨著疫情開始發(fā)酵，導致市場停滯；

• 2020年9月至2021年Q3初期，疫情進入新常態(tài)，線上經濟蓬勃發(fā)展，消費電子產品需求火熱，業(yè)內出現(xiàn)大規(guī)模采購、囤貨需求；

• 2021年Q3至2022年Q1，因結構供需失調等原因，存儲器價格開始下滑，2022年Q1，鎧俠工廠出現(xiàn)短暫的價格波動；

• 2022年Q1到現(xiàn)在，因后續(xù)再疊加疫情封控，全球經濟不景氣等因素，存儲價格進入全面下跌，原廠的存儲器價格幾乎跌到了成本價。

2022年Q4，很多廠商開始進入虧損狀態(tài)，為了減緩虧損的態(tài)勢，它們開始主動或者被動減產。對此，市調機構TrendForce預計，今年第二季DRAM均價跌幅將收斂至10%-15%(第一季跌幅近20%）。

今年Q1，全球三大存儲巨頭的表現(xiàn)如何？

美光2023財年第二財季財報(截至2023年3月2日)顯示，在這一財季美光虧損多達23.12億美元。因此，美光進一步減少了DRAM和NAND產能，截至3月底已減產約25%。

三星最新季度財報(截至今年3月)顯示，公司營業(yè)利潤同比驟降95%，至6,000億韓元，銷售額也減少到63萬億韓元。因DRAM市場持續(xù)下滑，三星啟動了DRAM減產，主要涉及到DDR4為代表的通用產品。

分析師預計，SK海力士2023年Q1營收或降至3.96萬億韓元，環(huán)比下滑49%，運營虧損4.02萬億韓元，折合約30.56億美元，凈虧損4.21萬億韓元，折合約32億美元。雖有機構透露稱，SK海力士已經開始減產，但今年3月底，SK海力士CEO樸正浩強調，2023年公司將削減一半資本支出，但不會削減產量。

再關注中國存儲市場，今年Q1中國市場全面解封之后，存儲行業(yè)并未迎來爆發(fā)式增長。此時，存儲行業(yè)面臨著中國本土需求恢復不如預期，海外需求嚴重受通脹制約，產業(yè)鏈上下游充斥著高庫存的情況。不過，邰煒認為，在過去一年多時間里，存儲行業(yè)經歷了劇烈的價格調整，再加上市場需求逐步回升、庫存壓力得到釋放，今年下半年有可能將面臨轉機——預計今年Q2下跌行情將觸底，緊接著在Q3將迎來新的增長。

現(xiàn)狀二：車用存儲和服務器存儲備受關注

目前，存儲芯片的三大市場為手機市場、PC市場、服務器市場，前兩大市場在過去一年里遭遇了需求疲軟，服務器市場對存儲的需求仍呈正增長。據(jù)IDC預測，2025年的全球數(shù)據(jù)總量將達175ZB。這意味著，數(shù)據(jù)中心服務器存儲將有很大的發(fā)展空間。該機構還預測顯示，到2024年，中國分布式存儲市場規(guī)模將達24.6億美元，成為企業(yè)級存儲市場增長的主要驅動力之一。隨著“東數(shù)西算”工程的推進，海量存儲系統(tǒng)規(guī)?；渴鸬男枨笾粫螅鎯B級數(shù)據(jù)將會常態(tài)化，其技術難度也將會越來越高。

ChatGPT在2022年Q4爆火，推動了AI訓練模型的應用落地。AI訓練模型需要更大算力的支持，對AI服務器提出更多的需求。美光科技在FY23Q2電話會議中表示，預計到2023年年底，數(shù)據(jù)中心庫存將達到相對健康的水平，技術層面關注AI服務器、CXL、HBM、DDR5的機會，AI服務器需要的DRAM、NAND內容量分別是常規(guī)服務器的8倍、3倍。

除了數(shù)據(jù)中心的應用之外，新能源汽車的應用也值得關注。雖然與消費類存儲相比，車規(guī)級存儲的市場規(guī)模還相對較小，但在汽車智能化、網聯(lián)化的時代大背景下，這一存儲類型將有很大的市場空間。佐思汽研數(shù)據(jù)顯示，2021年全球汽車存儲市場規(guī)模約為45億美元，僅為智能手機存儲市場的十分之一；到2027年，全球汽車存儲市場規(guī)模將超過125億美元，2021-2027年期間的復合增長率達到18.6%。

總而言之，數(shù)據(jù)中心和汽車為存儲的發(fā)展指了一條明路，業(yè)內許多玩家均爭先在這兩個領域布局。此前，一些主要聚焦消費級存儲市場的廠商也向企業(yè)級存儲或車規(guī)級存儲進軍，比如西部數(shù)據(jù)、希捷科技、江波龍電子等，這類廠商在消費級存儲賽道已經打好基礎，近幾年也紛紛布局企業(yè)級存儲、車規(guī)級存儲賽道，并在新領域推出了量產的新品和方案。

現(xiàn)狀三：國際原廠加大對中國市場的投資

中國既是全球最大的新能源汽車市場，又是全球重要的數(shù)據(jù)中心需求市場之一，這支撐中國的車用/服務器存儲市場也有很好的發(fā)展機遇。所以，全球汽車電子供應商、數(shù)據(jù)中心服務商，以及存儲器件供應商都越來越重視中國市場。

近年來，一些存儲大廠在進一步聚焦中國市場，西部數(shù)據(jù)在上海設立了半導體工廠和解決方案賦能中心，以更好地支持中國本土客戶；鎧俠針對中國市場的具體要求，設計了相應產品開發(fā)機制和體系。

另外，隨著大家日益重視數(shù)據(jù)安全問題，中國市場也在積極發(fā)展本土存儲供應鏈，圍繞長江存儲、合肥長鑫等廠商，正在形成國產化存儲產業(yè)鏈條。這意味著，跨國存儲企業(yè)不僅要面對本土存儲廠商的競爭，還面臨著其他國際品牌廠商的競爭。同時，受國際關系、地緣政治因素影響，中國客戶可能會擔憂“供應鏈全球化”可能會受各國政策影響，導致最終交貨不及時，甚至出現(xiàn)斷供。

2023年3月31日，中國網絡安全審查辦公室發(fā)布通知稱：為保障關鍵信息基礎設施供應鏈安全，防范產品問題隱患造成網絡安全風險，維護國家安全，依據(jù)《中華人民共和國國家安全法》《中華人民共和國網絡安全法》，網絡安全審查辦公室按照《網絡安全審查辦法》，對美光公司(Micron)在華銷售的產品實施網絡安全審查。

現(xiàn)在，中國對美光的審查正在進行中，暫不知曉后續(xù)將有怎樣的走向。不過，這給業(yè)界拉響一個警鐘，任何供應鏈都不會100%安全。當然，以韓日美系為主的存儲原廠在中國市場仍占據(jù)領導地位。主要原因在于，中國存儲企業(yè)的自身造血能力有限，需依靠國家層面的支持。因此，從這一方面來分析，國際存儲廠商在中國仍有較大的發(fā)展空間。

現(xiàn)狀四：3D NAND突破200層，1βDRAM已出貨

在存儲技術方面，NAND和DRAM都有了新升級。

3D NAND技術平均每一年升級一個版本，但因去年全球存儲產業(yè)遇冷，頭部廠商放慢了技術更新迭代的速度，部分企業(yè)更新速度有所減慢。截至2023年4月中旬，存儲廠商的3D NAND陸續(xù)升級到了200層。與上一代的176層相比，200層的存儲密度約提升40%。

在NAND架構方面，各架構的代表廠商均有新升級。V-NAND代表廠商是三星，2022年11月，三星量產了200層以上的第八代1 TB的3D NAND(V-NAND)；CuA代表廠商有美光、英特爾，現(xiàn)在美光的232層NAND已出貨；BiCS代表廠商有鎧俠、西部數(shù)據(jù)等，2023年4月，鎧俠和西部數(shù)據(jù)聯(lián)合研發(fā)的218層3D NAND閃存產品進入送樣階段；4D PUC代表廠商SK海力士，SK海力士238層4D NAND閃存預計今年上半年開始量產；Xtacking代表廠商長江存儲，該公司也在進一步推動量產。

在DRAM方面，行業(yè)已經擁有3家1X節(jié)點的制造商，其存儲容量超過4Gb，他們仍在制造具有相同配置的存儲cell，包括一個晶體管和一個電容器。三星、SK海力士、美光在2016-2017年進入1Xnm(16nm-19nm)階段，2018-2019年進入1Ynm(14nm-16nm)，2020年處于1Znm(12nm-14nm)時代。

10nm已進入第四階段，三星已于2020年上半年完成首批1anm制程DRAM的出貨，2021年美光、SK海力士也開始量產第四代10nm級DRAM產品。2022年年底，美光新一代1βDRAM已經出貨，SK海力士1β工藝DRAM于2023年Q1進入合作伙伴驗證階段。據(jù)DRAM的發(fā)展路徑，后續(xù)的行業(yè)廠商將朝著1α、1β、1γ等技術新階段發(fā)展。

去年，很多DRAM廠商發(fā)布了新品，但是后面制程不斷發(fā)展可能會對半導體制程推進形成阻礙。對此，業(yè)界正通過采用EUV設備生產、3D DRAM技術、或先進封裝等方式，來試圖突破DRAM的技術阻礙。

現(xiàn)狀五：存儲行業(yè)的互連標準正趨于統(tǒng)一

除了NAND和DRAM的技術發(fā)展以外，存儲行業(yè)相關的標準也有趨于統(tǒng)一的趨勢。2021年11月，CXL合并Gen-Z，將其所有規(guī)范和資產轉移給CXL，并且雙方聯(lián)盟成員日后將專注于CXL這唯一標準。合并后的CXL聯(lián)盟更加壯大，不僅包括內存廠商、IP廠商、加速器廠商等，還包括CPU廠商。

在使用案例方面，第一波CXL用例將是服務器本身通過CXL的端口進行內存擴展。未來，分解的內存池可以通過CXL交換機與服務器主機連接，從而實現(xiàn)更可組合的基礎架構，提高系統(tǒng)利用率。隨著時間的推移，CXL將能在閃存中得到應用。

如果說CXL打造的是CPU和外部的連接架構，UCIe則可打造芯片內部的架構?，F(xiàn)在行業(yè)內已經有一些廠商在推CXL+UCIe的概念。根據(jù)設想，通過Chiplet(芯粒)之間的互連接口標準，打造一個開放性的Chiplet生態(tài)系統(tǒng)，CXL+UCIe可組合成計算+互聯(lián)的芯片，同時CXL可以更換，更換IP非常便捷，從而可快速更換應用場景。相信在未來的產品規(guī)劃上也會考慮行業(yè)的各種趨勢，以持續(xù)的技術和存儲產品創(chuàng)新賦能行業(yè)生態(tài)的可持續(xù)發(fā)展，迎接數(shù)字時代的到來。