據(jù)臺系設備廠商透露，ASML近期由于客戶大砍資本支出、縮減訂單，最重要是大客戶臺積電也大砍逾4成EUV設備訂單及延后拉貨時間，2024全年業(yè)績將明顯承壓。

受此消息影響，ASML股價出現(xiàn)了下跌，而對于接下來的發(fā)展，其也將會保證中國市場的訂單。

ASML預計2023年在中國的銷售額將保持在22億歐元左右（約合人民幣超162億元），其正在加快拓展在中國的業(yè)務和銷售。

在這之前，ASML強調(diào)，新的出口管制措施并不針對所有浸潤式光刻系統(tǒng)，而只涉及所謂“最先進”的浸潤式光刻系統(tǒng)。截至目前企業(yè)尚未收到有關(guān)“最先進”的確切定義的信息，公司將其解讀為在資本市場日會議上定義的“關(guān)鍵的浸潤式光刻系統(tǒng)”，即TWINSCANNXT：2000i及后續(xù)推出的浸潤式光刻系統(tǒng)。

所謂浸沒式光刻機，屬于193nm（光源）光刻機（分為干式和浸沒式），可以被用于16nm至7nm先進制程芯片的制造，但是目前也有被業(yè)界廣泛應用在45nm及以下的成熟制程當中。

ASML公司官網(wǎng)信息顯示，該公司主流的DUV光刻機產(chǎn)品共有三款設備：TWINSCAN NXT：1980Di，TWINSCAN NXT：2000i和TWINSCAN NXT：2050i，其中2000i和2050i兩款是公司在聲明所指的產(chǎn)品。

ASML官網(wǎng)上關(guān)于這一臺TWINSCAN NXT:1980Di的介紹，其中在分辨率方面，寫到是大于等于38nm（可以支持到7nm左右），而這是指一次曝光的分辨率，事實上光刻機是可以進行多次曝光的。

理論上NXT:1980Di依然可以達到7nm，只是步驟更為復雜，成本更高，良率可能也會有損失，晶圓廠用這一臺光刻機，大多是生產(chǎn)14nm及以上工藝的芯片，很少去生產(chǎn)14nm以下的工藝，因為良率低，成本高，沒什么競爭力。