SK海力士展示300層NANDFlash，最快2024年問(wèn)世
據(jù)外媒消息，韓國(guó)存儲(chǔ)大廠(chǎng)SK海力士在ISSCC上展示了其最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器原型。
SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器預(yù)定兩年內(nèi)上市，有望打破紀(jì)錄。
據(jù)tomshardware報(bào)道，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲(chǔ)存等級(jí)的第八代3D NAND Flash開(kāi)發(fā)，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁(yè)容量、四個(gè)平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達(dá)194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/s傳輸速率的第七代3D NAND Flash高18%。更快輸入和輸出速度，有助PCIe 5.0×4或更高介面利用率。
SK海力士研發(fā)團(tuán)隊(duì)稱(chēng)，第八代3D NAND Flash采用5項(xiàng)新技術(shù)。
首先，三重驗(yàn)證程式（TPGM）功能可縮小單元閾值電壓分布，并將tPROG（編程時(shí)間）減少10%，轉(zhuǎn)化成更高性能。
其次，采用Adaptive Unselected String Pre-Charge(AUSP)技術(shù)，再將tPROG降低約2%。
第三，APR方案可將讀取時(shí)間降低約2%，并縮短字線(xiàn)上升時(shí)間。
第四，編程虛擬串（PDS）技術(shù)可藉由降低通道電容負(fù)載縮短tPROG和tR的界線(xiàn)穩(wěn)定時(shí)間。
最后，平面級(jí)讀取重試（PLRR）功能，允許不終止其他平面下，更改平面的讀取等級(jí)，立即發(fā)出后續(xù)讀取命令，提高服務(wù)質(zhì)量(QoS)，提高讀取性能。
據(jù)悉，由于新產(chǎn)品還在開(kāi)發(fā)，SK海力士并未透露計(jì)劃何時(shí)開(kāi)始量產(chǎn)其第8代3D NAND產(chǎn)品。但有分析認(rèn)為，考慮到幾乎所有閃存制造商都傾向于放慢采用更新制造節(jié)點(diǎn)以限制NAND 位輸出的速度，預(yù)計(jì)該公司的新3D NAND設(shè)備將在2024年至2025年的某個(gè)時(shí)間推出，原因是該公司已經(jīng)披露了有關(guān)該技術(shù)的詳細(xì)信息，可以推測(cè)SK海力士的新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)已經(jīng)完成或接近完成。300層NANDFlash，預(yù)計(jì)最快2024年問(wèn)世。
