近日，美國(guó)又將28家中國(guó)企業(yè)列入了“實(shí)體清單”進(jìn)行打壓，比如全球最牛的AI服務(wù)器廠商浪潮集團(tuán)，以及中國(guó)最有名的CPU廠商之一龍芯等。

于是很多網(wǎng)友表示，國(guó)產(chǎn)芯片究竟發(fā)展到哪一步了，為何美國(guó)不斷的打壓，難道我們的技術(shù)，真的差那么遠(yuǎn)么？

今天就給大家聊一聊，國(guó)產(chǎn)芯片究竟發(fā)展到哪一步了。

芯片目前分為三個(gè)主要環(huán)節(jié)，分別是設(shè)計(jì)、制程、封測(cè)這。

設(shè)計(jì)水平，目前國(guó)內(nèi)與全球水平是一致的，那就是達(dá)到了3nm，這個(gè)估計(jì)大家不會(huì)懷疑，畢竟之前華為麒麟芯片，與高通、蘋果芯片是同步的。

去年上半年三星量產(chǎn)3nm芯片時(shí)，首批客戶就是國(guó)內(nèi)的礦機(jī)廠，所以3nm芯片，我們?nèi)ツ昃湍軌蛟O(shè)計(jì)出來(lái)了，設(shè)計(jì)這一塊，我們不落后。

但是，要注意的是，設(shè)計(jì)芯片，需要指令集、EDA、IP核等，這一塊國(guó)內(nèi)相對(duì)是較落后的，國(guó)內(nèi)的芯片，大多使用ARM指令集，美國(guó)的EDA，還有ARM的IP核等，這一塊差距相當(dāng)大。

制造這一塊，對(duì)外公開的數(shù)據(jù)是中芯已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了14nm工芯的量產(chǎn)，而梁孟松曾表示，已完成7nm工藝的研發(fā)任務(wù)，就等EUV光刻機(jī)到貨了。

但是大家特別要注意在制造這一塊，實(shí)現(xiàn)14nm芯片的量產(chǎn)，是基于ASML的光刻機(jī)，美國(guó)的一些半導(dǎo)體設(shè)備，日本的一些半導(dǎo)體材料才行的。

如果采用國(guó)產(chǎn)設(shè)備、國(guó)產(chǎn)材料，目前的真實(shí)技術(shù)，連28nm都實(shí)現(xiàn)不了，因?yàn)閲?guó)產(chǎn)光刻機(jī)才達(dá)到90nm，還有一些設(shè)備，最多也就是28nm。

在材料方面，像光刻膠，國(guó)產(chǎn)才剛實(shí)現(xiàn)ArF光刻膠，也就是65nm左右，可以說(shuō)制造水平要是考慮國(guó)產(chǎn)化，最多在65nm，甚至還在90nm。

最后說(shuō)說(shuō)封測(cè)這一塊，封測(cè)這一塊，門檻相對(duì)最低，去年的時(shí)候，天水華天、通富微電、長(zhǎng)電科技就表示，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了3nm芯片的封測(cè)。

而今年年初，像長(zhǎng)電科技、通富微電均表示，實(shí)現(xiàn)了4nm的Chiplet芯片的封測(cè)，而封測(cè)設(shè)備，并不那么難，可以說(shuō)國(guó)內(nèi)封測(cè)水平，與國(guó)際水平基本也是一致的。

可見，與全球水平相比，我們差的是EDA、指令集、IP核等，還有光刻機(jī)等設(shè)備、光刻膠等材料，并且差距相當(dāng)相當(dāng)大，比如光刻機(jī)要僅90nm，光刻膠僅65nm。

這也是為何美國(guó)不斷打壓的原因，因?yàn)橹灰ㄗ」饪虣C(jī)，就卡住了所有，我們有再牛的芯片設(shè)計(jì)水平、封測(cè)水平，但只要制造不出來(lái)，一切就都是假的。