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三星先進(jìn)芯片產(chǎn)能,全球第一,已遙遙領(lǐng)先于臺(tái)積電

2023-03-06 來源: 只談數(shù)碼科技
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關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 芯片 中芯國際

近日,半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu) Knometa Research 發(fā)布了一份2022年《全球晶圓產(chǎn)能報(bào)告》,從工藝制程的先進(jìn)性,將全球的晶圓廠進(jìn)行了排名。

如下圖所示,分為4個(gè)類別,分別是先進(jìn)工藝,次先進(jìn)工藝,成熟工藝,大線寬工藝這么四種,再按照這四種的產(chǎn)能進(jìn)行排名。

其中先進(jìn)制程,指的是3~6nm晶圓制程,以及11~14nm DRAM、≥176L 3D NAND產(chǎn)能,這一塊三星排第一,一家就拿了全球32%的產(chǎn)能。

之后再是美光、SK海力士,臺(tái)積電僅排第四,只有9%的份額,這是因?yàn)槿堑腄DR5內(nèi)存,采用的是12nm工藝,而3D NAND閃存,也是大于176層的工藝。

而在次先進(jìn)工藝上,指的是7~16nm晶圓制程、15-20nm DRAM、64-144L 3D NAND的產(chǎn)能,這一塊依然是三星第一,份額高達(dá)31%,不過第二名是鎧俠,因?yàn)殒z俠的NAND閃存特別多,所以份額達(dá)到16%。而臺(tái)積電排第三,份額為16%,再是SK海力士、intel。

在成熟工藝上,也就是20nm-0.11μm邏輯制程,>20nm DRAM的產(chǎn)能上,則是臺(tái)積電排第一了,份額為20%,之后再是三星、聯(lián)電、中芯國際、索尼。

在≥0.13μm的大線程制程上,則TI排第一,然后是臺(tái)積電、聯(lián)電、意法半導(dǎo)體、中芯國際。

很明顯,先進(jìn)工藝上,三星排第一,然后其它存儲(chǔ)芯片廠商的產(chǎn)能也比臺(tái)積電大。而臺(tái)積電則是在成熟工藝,主要是20nm-0.11μm邏輯制程上,臺(tái)積電排第一。

至于中國大陸的中芯國際,也基本上只在成熟工藝、大線程這種相當(dāng)成熟的工藝上,才有一點(diǎn)產(chǎn)能,在先進(jìn)工藝,次先進(jìn)工藝上,完全排不上號(hào)。

事實(shí)上,之前也有數(shù)據(jù)顯示,如果從全球所有的晶圓產(chǎn)能來看,三星排第一,拿下了全球約20%的芯片產(chǎn)能,臺(tái)積電只能排第二,大約在13%左右。再是美光、SK海力士、鎧俠。這意味著,目前全球的晶圓產(chǎn)能中,存儲(chǔ)芯片才是最大的,然后才是一些邏輯芯片。

此外,這4類工藝中,除了中芯上榜了之外,其它國產(chǎn)晶圓廠,包括一些國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片廠,都沒能上榜,說明大家還有相當(dāng)大的進(jìn)步空間,加油吧。



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