近年來(lái)，隨著個(gè)人電腦的普及和互聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展，數(shù)字移動(dòng)通信業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)向個(gè)人通信，引發(fā)了傳統(tǒng)通信的革命和多媒體通信業(yè)務(wù)的出現(xiàn)，刺激了光通信業(yè)務(wù)的快速發(fā)展。但是與大規(guī)模的集成電路相比，光互連中用于實(shí)現(xiàn)光路由和光交換的光器件由于體積小、空間有限、功能單一，在應(yīng)用上受到很大限制，因此在很多光通信模塊中仍然需要進(jìn)行大量的電光轉(zhuǎn)換。

著深紫外光刻技術(shù)在納米光子器件制作中的應(yīng)用使得光學(xué)器件的尺寸大大減小，同一光子集成電路中可以集成更多的光學(xué)器件。將晶體管封裝在芯片上的傳統(tǒng)工藝被稱為“深紫外光刻”（DUV），這是一種類(lèi)似于攝影的一種技術(shù)。通過(guò)透鏡聚焦光線，在硅片上雕刻電路圖案，利用極紫外（EUV）光在硅片上雕刻，使存儲(chǔ)芯片有類(lèi)似的存儲(chǔ)容量增加。

在集成電路制造的推動(dòng)下，光刻技術(shù)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。從抽象層面來(lái)說(shuō)，光刻系統(tǒng)包括以下幾個(gè)部分：輻射源、輻射控制系統(tǒng)、光刻膠和樣品。為了獲得更小的光刻圖形，要求用于光刻的光源具有更小的特征光波波長(zhǎng)，光源要有足夠的強(qiáng)度，以實(shí)現(xiàn)快速曝光和批量生產(chǎn)。

為了解決光刻強(qiáng)度的問(wèn)題，目前工業(yè)上廣泛使用準(zhǔn)分子激光。準(zhǔn)分子激光是深紫外光譜中最亮的光源。一般準(zhǔn)分子激光獲得的光波波長(zhǎng)有248nm、193nm、157nm。準(zhǔn)分子激光以多模形式強(qiáng)烈發(fā)射，空間相干性相對(duì)較弱，光刻精度可達(dá)100nm以下。

想要確保紫外光刻機(jī)發(fā)出的紫外線強(qiáng)度適中就需要對(duì)紫外光進(jìn)行監(jiān)測(cè)，紫外線傳感器和紫外光電二極管是可以檢測(cè)紫外線強(qiáng)度的元件，可以用于檢測(cè)紫外光刻過(guò)程中紫外線的能量情況，工采網(wǎng)技術(shù)工程師推薦以下幾款：

韓國(guó)GENICOM 紫外線傳感器 － GUVA－T11GD－L，具有良好的可見(jiàn)盲，光伏模式操作，高響應(yīng)，低暗電流，應(yīng)用于全UV波段監(jiān)控，UV－A燈監(jiān)控，可廣泛應(yīng)用于：紫外線強(qiáng)度檢測(cè)和控制，UV指數(shù)檢測(cè)。

德國(guó)SGLUX 紫外光電二極管 － SG01D－C18具有極其特別的優(yōu)點(diǎn)，能承受高強(qiáng)度的輻射，對(duì)可見(jiàn)光幾乎不敏感，產(chǎn)生的暗電流低，響應(yīng)速度快，可以長(zhǎng)期工作在高達(dá)170℃的溫度中。

韓國(guó)GENICOM 可見(jiàn)光傳感器 － GVGR－T10GD，芯片小于0．4mm，TO－46封裝，使用的銦鎵氮材料，內(nèi)含PN型光電二極管，光伏模式操作，高響應(yīng)，低暗電流。