作為科技產(chǎn)業(yè)，以及信息化、數(shù)字化的基礎，芯片自誕生以來，就一直倍受關注，也一直蓬勃發(fā)展。

而這幾年，由于美國想切斷全球芯片供應鏈，打破全球供應鏈一體化的格局，引發(fā)了全球的恐慌，所以我們看到全球各國都在打造芯片產(chǎn)業(yè)鏈，想要盡量擺脫或減少對美國的依賴。

而中國就更加不例外了，畢竟我們就是美國重點打壓的對象之一。

這幾年， 國內在半導體材料、設備、技術等方面，不斷突破，但與此同時，我們也發(fā)現(xiàn)了一個比較尷尬的事實，那就是當前芯片制造的三大流程中，設計、封測與全球頂尖水平是基本同步的，但制造卻落后了可能有10年的差距。

先說設計，當前國際上最先進的芯片設計水平是3nm，而國內也擁有同等的水平，華為麒麟雖然無法量產(chǎn)，但華為的研發(fā)一直沒斷，與全球頂尖水平是同步的。

另外三星量產(chǎn)3nm時，國內的廠商是第一批客戶，也說明國內早有3nm芯片的設計能力。

再說封測這一塊，國內有三大封測廠商，排名全球前10，分別是長電科技、通富微電、天水華天，這三大封測企業(yè)在全球的排名分別是第3、5、6名。

這三大企業(yè)也表示自己擁有了4nm芯片的封測技術，至于3nm，因為也剛量產(chǎn)，所以沒有表示，但考慮到封測的門檻并不高，所以這三大企業(yè)同步實現(xiàn)3nm的封測，也沒問題。

最落后的就是芯片制造這一塊了，大陸最強的芯片制造企業(yè)是中芯，當前對外公開的，已經(jīng)量產(chǎn)的工藝是14nm，2019年就已經(jīng)量產(chǎn)了。

不過由于缺EUV光刻機，然后就卡在14nm了，而2022年被拉入黑名單，進一步限制了先進工藝設備的進口，估計工藝突破，目前而言是比較困難了，所以中芯當前的策略，很明顯是在提升成熟工藝產(chǎn)能，先解決國內晶圓產(chǎn)能的缺口，慢慢徐之。

而全球頂尖的芯片工藝是3nm，從14nm到3nm工藝。那么從14nm到3nm，需要多久的時間？我們參考下臺積電、三星、英特爾這三大巨頭。

臺積電于2015年實現(xiàn)了16nm，然后2023年實現(xiàn)了3nm，間隔了8年時間，三星的時間大致也是如此，也是大約8年的時間。至于intel，從14nm到3nm，花的時間會更久，預計會在9年左右。

所以中芯要提升到3nm，就算先進設備不受限制，估計都得10年左右，目前先進設備以及一些技術還受限制，10年都不一定追上來。

所以整體來看，當前國內最應該補的短板，就是芯片制造能力，只要制造能力提升上來，設計、封測都不是問題，隨時能夠等同國際頂尖水平。