12月29日，據(jù)華潤微電子官方公眾號消息，華潤微電子重慶12英寸晶圓制造生產(chǎn)線以及先進功率封測基地實現(xiàn)通線。

公開資料顯示，華潤微電子重慶12英寸晶圓制造生產(chǎn)線項目總投資75.5億元，項目建成后預(yù)計將形成月產(chǎn)3-3.5萬片12英寸中高端功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)能力，并配套建設(shè)12英寸外延及薄片工藝能力。

據(jù)悉，從項目公司注冊成立，華潤微電子僅用18個月即實現(xiàn)包括中低壓溝槽SGT MOS、高壓超結(jié)SJ MOS在內(nèi)的四個產(chǎn)品平臺全部通線，該項目進入產(chǎn)品投產(chǎn)流通與產(chǎn)能建設(shè)上量并行階段。

此外，華潤微電子先進功率封測基地項目，是華潤微電子布局的中高端功率封裝項目，致力于打造聚焦于汽車電子和工控市場、國內(nèi)工藝全面、技術(shù)先進、規(guī)模領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體專用封測工廠，包括模塊級、晶圓級、框架級、面板級多條封裝測試生產(chǎn)線。項目2021年11月正式開工；今年7月，先進功率封測基地成功實現(xiàn)主體封頂；12月22日，首顆中低壓SGT功率器件PDFN 3.3產(chǎn)品順利產(chǎn)出，良率99.5%，各項指標滿足產(chǎn)品規(guī)范，項目成功通線。

伴隨著華潤微旗下潤西微電子重慶12英寸車規(guī)級功率器件晶圓生產(chǎn)線和配套的車規(guī)級先進功率半導(dǎo)體封測基地建成投產(chǎn)，華潤微車規(guī)級功率器件產(chǎn)業(yè)基地已初步成型，將持續(xù)支撐公司產(chǎn)品應(yīng)用升級，進一步完善在車規(guī)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局。

除了華潤微電子外，士蘭微，斯達半導(dǎo)、安世半導(dǎo)體、東微半導(dǎo)體、新潔能等企業(yè)在高壓、低壓MOSFET和IGBT器件等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，產(chǎn)品在市場上嶄露頭角。

士蘭微方面，2022年10月24日，士蘭微發(fā)布公告稱，士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線已實現(xiàn)初步通線，首個SiC器件芯片已投片成功，目標在今年年底形成月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片生產(chǎn)能力。

斯達半導(dǎo)則在2022年公司基于第六代Trench Field Stop技術(shù)的車規(guī)級IGBT模塊獲得多個平臺/項目定點，對標英飛凌的第七代FS-Trench型新一代車規(guī)級IGBT芯片也取得突破性進展，進一步鞏固其龍頭地位。

安世半導(dǎo)體方面，則不斷加強在中高壓Mosfet、化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品SiC和GaN產(chǎn)品布局，2022年5月，安世半導(dǎo)體已在奧地利薩爾茨堡與Kyocera AVX Components簽署了一項協(xié)議，生產(chǎn)氮化鎵（GaN）汽車功率模塊。該協(xié)議目標是以新的封裝技術(shù)為基礎(chǔ)，共同開發(fā)用于電動汽車的GaN應(yīng)用。

東微半導(dǎo)體方面，其TGBT產(chǎn)品經(jīng)過2021年下半年的小批量過程，2022年進入高速增長階段，成為公司業(yè)務(wù)的新增長點。其推出高功率超級結(jié)產(chǎn)品，相繼研發(fā)了并聯(lián)SiC的IGBT及寬禁帶場效應(yīng)晶體，已有產(chǎn)品的工作電壓范圍已覆蓋600V-1350V，工作電流覆蓋至15A-160A。

新潔能則在2022年4月表示，公司的碳化硅產(chǎn)品1200V SiC MOSFET首次流片驗證完成，產(chǎn)品部分性能達到國內(nèi)先進水平。此外，其600V-1350V的溝槽型場截止IGBT、500V-900V的第三代超結(jié)功率 MOSFET、30V-300V的屏蔽柵功率MOSFET、12V-250V的溝槽型功率MOSFET均已實現(xiàn)量產(chǎn)及系列化。