眾所周知，臺(tái)積電終于還是赴美了，在美國(guó)亞利桑那州建立了晶圓廠，預(yù)計(jì)2024年將投產(chǎn)5nm/4nm的芯片。

并且臺(tái)積電還表態(tài)稱，不僅僅是5nm，還會(huì)繼續(xù)興建一座3nm的芯片晶圓廠，預(yù)計(jì)2026年投產(chǎn)，工藝是3nm。

為此，臺(tái)積電還派出了工程師赴美，傳聞還有幾十家供應(yīng)鏈也隨著臺(tái)積電一起赴美了。

于是很多人表示，臺(tái)積電可能要變成“美積電”了，臺(tái)積電正在被美國(guó)掏空，臺(tái)灣省的“護(hù)島神山”，要成美國(guó)的了。

當(dāng)然，臺(tái)積電赴美已是事實(shí)，但是從臺(tái)積電的舉動(dòng)來看，還是防了美國(guó)一手的，原因就是關(guān)鍵的技術(shù)，產(chǎn)能還是留在了臺(tái)灣省。

先說工藝方面，美國(guó)得到的其實(shí)比臺(tái)積電最新的技術(shù)是落后至少一代的。

臺(tái)積電2020年就實(shí)現(xiàn)了5nm，而2021年實(shí)現(xiàn)了4nm，2023年會(huì)量產(chǎn)3nm工藝。而亞利桑那州的晶圓廠，2024年才實(shí)現(xiàn)5nm，此時(shí)臺(tái)積電早實(shí)現(xiàn)了3nm。

而亞利桑那州的晶圓廠在2026年才實(shí)現(xiàn)3nm，此時(shí)臺(tái)積電早實(shí)現(xiàn)了2nm了（臺(tái)積電預(yù)計(jì)2025年實(shí)現(xiàn)2nm）。

很明顯，最先進(jìn)的技術(shù)，臺(tái)積電還是留在臺(tái)灣省的，給美國(guó)的是落后一代的，不算是最先進(jìn)的技術(shù)。

再說產(chǎn)能方面，按照臺(tái)積電的規(guī)劃，兩座晶圓廠的總投資約是400億美元，一旦建成后，月產(chǎn)能達(dá)到5萬片晶圓每月，而年產(chǎn)能大約是60萬片12寸晶圓。

而臺(tái)積電總的產(chǎn)能有多大？今年預(yù)計(jì)會(huì)是1540萬片12寸晶圓的當(dāng)量。而臺(tái)積電的產(chǎn)能一直在持續(xù)增長(zhǎng)，過去5年平均增長(zhǎng)率約為8.1%。

就按這個(gè)增長(zhǎng)率來計(jì)算，到2026年時(shí)，臺(tái)積電的年產(chǎn)能將達(dá)到2100萬片晶圓，那么這60萬片相當(dāng)于臺(tái)積電全球年產(chǎn)量的約2.85%。

美國(guó)的客戶貢獻(xiàn)了臺(tái)積電營(yíng)收的65%左右。這2.85%的產(chǎn)能，和美國(guó)客戶需求的65%產(chǎn)能來講，相差太遠(yuǎn)了。

臺(tái)積電如果要滿足美國(guó)客戶在美國(guó)本土生產(chǎn)芯片的需求，產(chǎn)能還需要擴(kuò)大20倍以上。

很明顯，臺(tái)積電還是留了一手的，最先的核心技術(shù)，最關(guān)鍵的產(chǎn)能，還是放在了臺(tái)灣，在美國(guó)建廠，更多的還是表個(gè)態(tài)，不至于得罪美國(guó)，畢竟臺(tái)積電也依賴美國(guó)的技術(shù)、設(shè)備、EDA，得服個(gè)軟。