考慮到ASML是集全球之力造EUV光刻機，且與上下游形成了利益同盟，所以其它廠商想在EUV光刻機上超過ASML，基本上不可能的。

所以其它廠商，只能另想辦法，換道超車，用另外的技術來替代EUV光刻機。

目前已經有三大方案，都被認為是可以替代EUV光刻機方案的，并且被大家重視，很多企業(yè)更是投入巨資研發(fā)，以期有所突破，進而替代EUV光刻機。

第一大方案是NIL納米壓印，其原理類似于打印機一樣，先在模具上刻上納米電路的圖案，再把這個圖壓在硅片的感光材料上，同時用紫外線照射，就能完成轉印，這種方式可以達到至少2nm的精度。

佳能一直非常重視NIL納米壓印技術，甚至在2021年就造出了機器，被鎧俠用于NAND閃存制造中，只不過目前精度還不太夠，不能替代EUV光刻機。

但在NIL技術上，佳能的專利最多，技術最成熟、最先進，很明顯，佳能就押注這個技術了。

第二大方案是電子束光刻機(EBL)，用高能電子束來替代極紫外線，電子對應的波長只有0.04納米，加工精度就比EUV又高了不少。

目前在這一塊比較突出的是美國，前不久前段時間美國公司Zyvex，就搞出了一臺電子束光刻機(EBL)，并制造了768皮米（0.768nm）。

并且Zyvex還接受電子束光刻機訂單，稱只需要6個月就可以交貨，很明顯，這種技術也能夠替代EUV光刻機，唯一的用這種方式，速度非常慢，但后期還有改進空間。

第三大方案則是自組裝（DSA）光刻，所以謂的自組裝光刻，就是用一些化學物質，誘導光刻材料在硅片上自發(fā)組成我們需要的結構，中間不需要光刻機參與。

這種方式比傳統(tǒng)光刻分辨率更高，加工速度也不受影響，但它對材料控制的要求特別高，目前還沒有成熟的解決方案，還處在實驗室階段。

而對這一技術研究較深的是比利時微電子中心、麻省理工學院，他們都建立了自組裝產線，進行相關研究，三星在DSA上申請的專利最多，也非常重視這一 技術。

至于俄羅斯曾提出X-射線方案等， 但這些在目前并不主流，主流的還是以上三種方案，并且這三種方案中的一種或幾種，也非常有可能在未來替代EUV光刻機。

不過可惜的是，當前我們似乎在這三種方案上都不太突出，當然也有可能是保持低調，不愿意秀出實力來，但不得不說，研究EUV光刻機，或者研究能替代EUV光刻機的技術，對于中國芯而言，是勢在必行，再難也要上的，否則中國芯就會一直被卡脖子，你覺得呢？