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Intel 4nm芯片已準(zhǔn)備投產(chǎn):2nm和1.8nm提前了

2022-12-06 來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng)
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關(guān)鍵詞: Intel 4nm芯片

Intel是當(dāng)下為數(shù)不多同時(shí)擁有頂尖的芯片設(shè)計(jì)能力和制造能力的全能企業(yè),新CEO帕特基辛格上任后,對(duì)于晶圓代工業(yè)務(wù),Intel寄予厚望,一方面開(kāi)放接納三方客戶(hù),另一方面也在先進(jìn)制程上發(fā)力。

據(jù)Intel最新對(duì)外公布的信息,Intel 4nm芯片已準(zhǔn)備投產(chǎn),它將用于包括Meteor Lake(14代酷睿流星湖)處理器、ASIC網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品等。

同時(shí),Intel 3nm、20A(2nm,其中A代表埃米,1nm=10埃米,下同)、18A(1.8nm)進(jìn)展一切順利,甚至還略有提前。

其中Intel 3nm將在明年下半年投產(chǎn),用于Granite Rapids和Sierra Forest數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品。



Intel 20A計(jì)劃2024上半年準(zhǔn)備投產(chǎn),首發(fā)Arrow Lake(15代酷睿)客戶(hù)端處理器,18A提前到2024下半年就緒,分別用在下一代酷睿和數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品上。


此前,18A規(guī)劃是在2025年,如今來(lái)看,進(jìn)展非常順利,甚至要超前。

據(jù)悉,從Intel 3nm開(kāi)始,將采用全新的RibbonFET晶體管取代當(dāng)前的FiFET,引入革命性的PowerVias背面供電技術(shù)。所謂RibbonFET其實(shí)就是Inetl對(duì)于GAA(環(huán)繞柵極)晶體管的改進(jìn),后者已被三星3nm首發(fā)。




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