說(shuō)起存儲(chǔ)芯片，大家肯定會(huì)知道三星、美光、SK海力士、鎧俠這幾大巨頭，因?yàn)槿虿还苁荄RAM芯片，還是NAND芯片，基本上都是被這幾大巨頭壟斷的。

以往國(guó)內(nèi)的廠商們，需要存儲(chǔ)芯片，都要從這幾大巨頭那去采購(gòu)，每年花費(fèi)巨額的外匯，以2021年為例，進(jìn)口存儲(chǔ)芯片的金額超過(guò)了1000億美元。

也正因?yàn)槿绱?，所以?guó)內(nèi)一直在發(fā)力存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，以期提高自給率，降低對(duì)外依賴(lài)，建立了好幾大存儲(chǔ)芯片基地。

其中長(zhǎng)江存儲(chǔ)就專(zhuān)注于生產(chǎn)NAND芯片，成立于2016年，但直到2017年才推出第一代產(chǎn)品，還是落后的32層堆疊的技術(shù)，此時(shí)三星、美光等都達(dá)到96層的水平了，中間還隔了一個(gè)64層，可以說(shuō)三星、美光等巨頭領(lǐng)先至少兩代。

這里要稍微解釋一下，為何在NAND芯片上，會(huì)提到“XX層堆疊”這個(gè)名詞，不是芯片工藝中最常見(jiàn)的XXnm了。

邏輯芯片等產(chǎn)品，提升芯片性能是通過(guò)微縮工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)的，比如7nm、5nm、3nm等，工藝制程越小，技術(shù)越先進(jìn)。

但在NAND領(lǐng)域，則不能這么干，因?yàn)檠芯繉?shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)進(jìn)入到20nm以下時(shí)，單純的提升NAND芯片的工藝，還可能會(huì)導(dǎo)致可靠性大幅度下降，而存儲(chǔ)芯片需要穩(wěn)定可靠。

所以NAND閃存芯片，不能靠平面的這種微縮工藝，而是通過(guò)立體方式來(lái)實(shí)現(xiàn)，即將晶體管上下堆疊在一起，也就有了層數(shù)，層數(shù)越大，存儲(chǔ)密度越高，性能越強(qiáng)，也代表技術(shù)越先進(jìn)。

三星的立體工藝叫做V-NAND ，東芝和閃迪則是 BiCS，而長(zhǎng)江存儲(chǔ)的叫做Xtacking 技術(shù)，這些工藝都是怎么實(shí)現(xiàn)立體的堆疊的技術(shù)。

從全球的技術(shù)情況來(lái)看，今年上半年美光發(fā)布了232層堆疊的NAND閃存，但其實(shí)還沒(méi)有大規(guī)模量產(chǎn)，還只是PPT閃存，而三星、SK海力士等，其232層堆疊的NAND閃存，也沒(méi)有量產(chǎn)，預(yù)計(jì)會(huì)在2023年實(shí)現(xiàn)，也就是說(shuō)目前世界巨頭們最先進(jìn)的技術(shù)，其實(shí)還沒(méi)到232層堆疊。

但是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的232層NAND閃存，卻已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)，用于實(shí)際的SSD產(chǎn)品中了。據(jù) TechInsights 的說(shuō)法，他們拆解了?？低暤?CC700 2TB 的固態(tài)硬盤(pán)，發(fā)現(xiàn)其中使用的就是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 232 層的 3D NAND閃存，這可是全球第一個(gè)，是領(lǐng)先于美光、三星、SK海力士等巨頭的。

大家想一想，長(zhǎng)江存儲(chǔ)才成立6年時(shí)間，就逆襲了，實(shí)現(xiàn)了對(duì)三星、美光等巨頭的反超，是不是一件特別值得驕傲的事情？

不過(guò)大家也要清醒的認(rèn)識(shí)到，雖然技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了反超，但當(dāng)前長(zhǎng)江存儲(chǔ)的產(chǎn)能并不大，按照2021年的數(shù)據(jù)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在全球的份額還不到5%，而機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)2022年份額可能會(huì)達(dá)到7.5%左右，所以雖然技術(shù)反超了，但在產(chǎn)量上還要多努力，才能真正大規(guī)模實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代，減少對(duì)外進(jìn)口和依賴(lài)啊。