臺積電5nm下半年將強勁成長，3nm預計2022年量產(chǎn)，并已研發(fā)2nm，工研院產(chǎn)科國際所研究總監(jiān)楊瑞臨認為，臺積電制程5年內(nèi)將稱霸晶圓代工業(yè)，3D封裝是新挑戰(zhàn)。

    全球芯片巨擘英特爾（Intel）7nm制程進度延遲，并可能釋出委外代工訂單；同時，手機芯片廠高通（Qualcomm）也傳出5nm處理器可能自三星（Samsung）轉由臺積電代工生產(chǎn)，讓臺積電制程領先地位成為市場近期關注焦點。 

    臺積電繼7nm制程于2018年領先量產(chǎn)，并在強效版7nm制程搶先導入極紫外光（EUV）微影技術，5nm制程在今年持續(xù)領先量產(chǎn)，下半年將強勁成長，貢獻全年約8%業(yè)績。

    臺積電3nm制程技術開發(fā)順利，將沿用鰭式場效電晶體（FinFET）技術，預計2022年下半年量產(chǎn)，臺積電有信心3nm制程屆時仍將是半導體業(yè)界最先進的技術。

    為確保制程技術持續(xù)領先，臺積電2019年已領先半導體產(chǎn)業(yè)研發(fā)2nm制程技術，臺積電目前尚未宣布量產(chǎn)時間，不過，依臺積電每2年推進一個世代制程技術推算，2nm可望于2024年量產(chǎn)。

    楊瑞臨分析，盡管臺積電2nm制程將自過去的FinFET技術，改采環(huán)繞閘極（GAA）技術，臺積電2nm制程仍可望維持領先地位，以目前情況看來，臺積電制程技術將再稱霸晶圓代工業(yè)至少5年。

    只是制程微縮技術即將面臨物理瓶頸，且價格成本越來越高，楊瑞臨說，3D堆疊先進封裝技術將更趨重要，相關設備與材料問題都有待解決，這也是臺積電的新挑戰(zhàn)。

    楊瑞臨表示，臺積電在先進封裝領域著墨多時，自2016年推出InFO封裝技術后，至2019年已發(fā)展至第5代整合型扇出層疊封裝技術（InFO-PoP）及第2代整合型扇出暨基板封裝技術（InFO_oS），并開發(fā)第5代CoWoS。

    此外，臺積電開發(fā)系統(tǒng)整合晶片SoIC，以銅到銅結合結構，搭配矽導孔（TSV）實現(xiàn)3D IC技術，將提供延續(xù)摩爾定律的機會。

    楊瑞臨認為，臺積電在先進封裝領域仍將領先對手三星。外資并預期，先進封裝將是臺積電筑起更高的技術與成本門檻，拉大與競爭對手差距的關鍵。