10月26日，Alphawave公司表示，其已經(jīng)流片了業(yè)界首批使用臺積電第二代3nm制造技術(shù)的芯片之一，并成功通過了所有必要的測試，該芯片將于本周晚些時候在臺積電的OIP論壇上展示。

（圖片來自Alphawave IP）

首款采用臺積電第二代3nm工藝打造的芯片，是Alphawave IP ZeusCORE100 1-112Gbps NRZ/PAM4串行器-解串器，支持未來幾年將要流行普及的多種標(biāo)準(zhǔn)，其中包括800G以太網(wǎng)、OIF 112G-CEO、PCle 6.0和CXL3.0。這種芯片在高速數(shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域十分常見，是高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)慕涌陔娐罚瑪?shù)據(jù)中心經(jīng)常會用到這一芯片。

臺積電計劃在未來2-3年推出多達(dá)五種3nm級別的工藝技術(shù)，第一代3nm工藝預(yù)計會被大客戶蘋果用于少數(shù)芯片設(shè)計，而第二代N3E則更加成熟，意味著可以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，而且擁有更高性能與更低功耗。

（圖片來自臺積電官方）

據(jù)編者了解，N3E的應(yīng)用范圍將會比N3更大，但大規(guī)模量產(chǎn)還得等到2023年中期或2023年第三季度，大概在臺積電N3大規(guī)模量產(chǎn)的一年后。此后，臺積電還會再增加三個3nm節(jié)點(diǎn)，比如面向性能的N3P、用于更高晶體管密度的N3S，以及用于微處理器等產(chǎn)品的N3X。

在3nm這個工藝節(jié)點(diǎn)上，臺積電確實(shí)要比三星慢了一點(diǎn)，后者利用GAA FET實(shí)現(xiàn)“彎道超車”，率先量產(chǎn)，而前者依舊打磨Fin FET工藝。但三星的3nm量產(chǎn)進(jìn)度并沒有那么理想，目前還做不到大規(guī)模量產(chǎn)，而且良品率也低得可憐。編者認(rèn)為，在這種情況下，穩(wěn)扎穩(wěn)打的臺積電還是有機(jī)會跟上三星的。

（圖片來自Pixabay）

現(xiàn)在晶圓制造工藝越來越精密，所以每向前跨越一個節(jié)點(diǎn)，所需要的時間都比此前的工藝更長，3nm作為下一個技術(shù)節(jié)點(diǎn)，應(yīng)用時間還會更長。而我們短期內(nèi)也不會看到大量的3nm芯片上市，這一切都要等晶圓代工做好量產(chǎn)準(zhǔn)備，芯片設(shè)計方案到位才行。