而半導體材料，在經(jīng)過了幾十年的發(fā)展之后，也有了第一、第二、第三代的說法。

第一代自然是硅，也就是大家熟悉的硅基芯片，目前廣泛用于各行各業(yè)，可以說在人類社會的每一個角落無不閃爍著它的光輝。

第二代則是指化合物半導體材料，比如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）等，這一代的材料，主要用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件，用在微波通信、光通信、衛(wèi)星通信、衛(wèi)星導航等領域。

而第三代材料則主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體材料，用于5G、新能源、國防軍工、航空航天等領域。

當然，這一代又一代的材料，并不是要取代前面一代，更多的是補充，拓展。畢竟像硅基芯片，還是有一些缺點，必須是其它材料來完善補充的。

再加上目前硅基芯片發(fā)展到了頂峰，畢竟到3nm、2nm之后，再前進難上加難，同時5G、航空航天技術不斷發(fā)展，所以第三代半導體材料，是越來越受重視，也越來越被半導體巨頭們關注。

而從現(xiàn)在的情況來看，在國內(nèi)，華為正在成為第三代半導體材料的，最大的投資者。

為何這么說呢？因為華為旗下的哈勃投資，目前在第三代半導體材料領域，已經(jīng)投資了5家企業(yè)，遍布碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈，這5家企業(yè)分別是山東天岳、北京天科合達、瀚天天成、東莞天域半導體和特思迪，均是國內(nèi)第三代半導體材料的龍頭企業(yè)。

為何華為這么努力的去投資第三代半導體材料？前面已經(jīng)說目前半導體還是以硅基器件為主，但其性能其實已經(jīng)接近物理極限了。

必須需要新的材料來替代，特別是高壓、高頻、高溫、高速等方面。隨著5G、新能源汽車、航空航天等的發(fā)展，第三代半導體材料爆發(fā)拐點將至。

所以華為必須抓住機會，在第三代半導體材料上，不能被國外卡了脖子，要把核心技術掌握在自己手中。