10月3日，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)積電擁有先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì)同時(shí)，也在積極布局第三代半導(dǎo)體，與聯(lián)電、世界先進(jìn)、力積電等同行共同爭(zhēng)搶第三代半導(dǎo)體龐大商機(jī)。

報(bào)道指出，晶圓代工四強(qiáng)在營(yíng)運(yùn)策略上，不僅要降低行業(yè)景氣循環(huán)帶來(lái)的沖擊，更要在5G射頻、人工智能（AI）、高性能計(jì)算（HPC）、汽車電子增長(zhǎng)確立的趨勢(shì)下，先蹲好馬步練功，瞄準(zhǔn)下一波的產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)動(dòng)能。

臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音提及，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)值偏小，應(yīng)用端以汽車領(lǐng)域?yàn)槎?，屬于特殊技術(shù)。盡管現(xiàn)階段仍無(wú)法跟硅基（silicon base）半導(dǎo)體相比，不過(guò)臺(tái)積電第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)量應(yīng)該還是最大。

業(yè)內(nèi)人士指出，臺(tái)積電與IDM廠及IC設(shè)計(jì)廠商合作，第一代硅基板氮化鎵（GaN on Si）技術(shù)平臺(tái)，已于去年完成并進(jìn)一步強(qiáng)化，支持多元應(yīng)用，開(kāi)發(fā)中的第二代硅基板GaN技術(shù)平臺(tái)預(yù)計(jì)今年內(nèi)完成。

聯(lián)電以轉(zhuǎn)投資聯(lián)穎光電投入第三代半導(dǎo)體。日前聯(lián)穎研發(fā)副總邱顯欽分析，聯(lián)電集團(tuán)和臺(tái)積電在第三代半導(dǎo)體發(fā)展策略并不相同，臺(tái)積電聚焦的是氮化鎵（GaN）、主攻功率半導(dǎo)體，聯(lián)電則是功率與微波并進(jìn)。

此外，世界先進(jìn)則是與設(shè)備材料、硅基板廠攜手合作，開(kāi)發(fā)8英寸新基板材料。世界先進(jìn)認(rèn)為，雖然化合物半導(dǎo)體占半導(dǎo)體整體市值僅1%，但氮化鎵、碳化硅等新材料衍生的商機(jī)可期。