說起EUV光刻機(jī)，大家都非常熟悉了，這是生產(chǎn)7nm及以下芯片時(shí)，必須使用的光刻機(jī)。

更重要的是全球僅有ASML一家廠商能夠生產(chǎn)，可以說ASML卡住了全球芯片制造企業(yè)的喉嚨，大家要生產(chǎn)7nm及以下的芯片，就必須找ASML。

不管是臺(tái)積電，還是三星，或者intel，都不敢也不能得罪ASML，否則不賣EUV光刻機(jī)給你，就“芭比Q”了。

那么EUV光刻機(jī)技術(shù)，能夠一直卡住芯片制造企業(yè)的脖子，讓大家無法拒絕么？

并不是的，只怕到2nm時(shí)就要走到盡頭了，無法再繼續(xù)支持1.4nm、1nm這樣的更高工藝的芯片了，到這些工藝時(shí)，EUV光刻機(jī)也光刻不了，要更換新技術(shù)了。

按照ASML CTO的說法，到2025年時(shí)，ASML會(huì)推出全新一代的極紫外線光刻機(jī)，型號(hào)會(huì)是NXE:5200，其采用的數(shù)值孔徑會(huì)達(dá)到0.55NA，數(shù)值孔徑越大，精度越高。

之后理論上數(shù)值孔徑還能夠再提升，比如達(dá)到0.7等，但已經(jīng)沒太多必要了，非常不值得，因?yàn)槌杀咎吡?，難度太大，估計(jì)0.55NA就是頂點(diǎn)了。

而0.55NA數(shù)值孔徑的EUV光刻機(jī)，其處理極限可能也就是2nm、1.8nm左右，而INTEL也計(jì)劃用它在2025年左右，量產(chǎn)2nm、1.8nm的芯片。

也就是說如果要制造1.8nm以下的芯片，可能EUV光刻機(jī)就無法勝任了，要推出全新一代技術(shù)，至于是什么技術(shù)，目前業(yè)界還沒有定論。

目前美國有公司推出了EBL電子束光刻機(jī)，可以生產(chǎn)0.768nm的芯片，但無法大規(guī)模量產(chǎn)。而俄羅斯在研究X射線光刻機(jī)，沒有光掩模板，直接光刻，據(jù)稱可以用于1nm芯片，但沒有樣品出來。

但這無不表明，EUV光刻機(jī)到了2nm工藝后，可能就走到了盡頭，ASML的壟斷地位無法再保證了，ASML需要研發(fā)更先進(jìn)的技術(shù)，來穩(wěn)固自己的地位，否則位置可能就會(huì)被其它企業(yè)搶走。