臺(tái)積電和三星的3nm都宣傳了許久，三星表示已量產(chǎn)，而臺(tái)積電則因?yàn)槿鄙倏蛻舄q豫著該不該量產(chǎn)，日前業(yè)內(nèi)人士指出更深層次的問(wèn)題則是它們的3n工藝都未達(dá)標(biāo)，這才是根本原因，3nm似乎失敗了。

臺(tái)積電在研發(fā)3nm的時(shí)候無(wú)疑是偏保守的，它延續(xù)了此前的FinFET技術(shù)，如此可以確保3nm工藝的良率，畢竟FinFET技術(shù)已經(jīng)用了數(shù)代，再加上3nm的研發(fā)本來(lái)風(fēng)險(xiǎn)就高，因?yàn)樵绞墙咏?nm極限，工藝研發(fā)的難度就越大，因此臺(tái)積電選擇了更穩(wěn)妥的策略。

然而臺(tái)積電的如此做法卻也導(dǎo)致了3nm工藝的參數(shù)表現(xiàn)更差，據(jù)悉當(dāng)時(shí)臺(tái)積電其實(shí)已用3nm為蘋果試產(chǎn)A16處理器了，但是生產(chǎn)出來(lái)的A16處理器表現(xiàn)遠(yuǎn)不如預(yù)期，而良率太低、成本太高，最終蘋果還是選擇放棄了3nm而改用5nm改良后的N4工藝。

三星則比臺(tái)積電激進(jìn)，直接在3nm工藝上引入了GAAFET技術(shù)，妄圖通過(guò)更先進(jìn)的技術(shù)在3nm工藝上一舉趕超臺(tái)積電，然而這卻導(dǎo)致三星的3nm工藝難度更大，最終三星的3nm工藝良率低到令人發(fā)指的地步，成本則高到幾乎失去經(jīng)濟(jì)價(jià)值。

三星如此激進(jìn)在于它此前在7nm、5nm工藝上都敗給了臺(tái)積電，試圖以3nm一舉彎道超車，然而事實(shí)證明了三星在技術(shù)積累方面確實(shí)不如臺(tái)積電，如此冒險(xiǎn)推進(jìn)，最終導(dǎo)致了它的3nm工藝量產(chǎn)面臨的問(wèn)題更多。

業(yè)內(nèi)人士指出臺(tái)積電和三星的3nm工藝在晶體管密度方面遠(yuǎn)未達(dá)到預(yù)期，它們將之命名為3nm更像是營(yíng)銷概念，因此有人將之稱為“偽3nm”，這個(gè)其實(shí)此前的7nm、5nm工藝都曾引發(fā)爭(zhēng)議，它們的7nm工藝在晶體管密度方面只是達(dá)到了Intel的10nm，但是在名字方面卻偏要將之命名為7nm，也認(rèn)為它們是為了營(yíng)銷。

在先進(jìn)工藝研發(fā)方面失敗，其實(shí)已經(jīng)不是第一次，臺(tái)積電的20nm工藝就曾未達(dá)到預(yù)期，最終20nm只是用了一代然后就被舍棄了；16nm工藝的表現(xiàn)更差，臺(tái)積電的16nm工藝被指甚至還不如20nm，導(dǎo)致16nm工藝最終只有華為和另一家企業(yè)兩個(gè)客戶，其后臺(tái)積電改良16nm工藝推出了16nmFinFET工藝才獲得業(yè)界的認(rèn)可。

在16nm工藝節(jié)點(diǎn)上，也是臺(tái)積電和三星較量的分水嶺，當(dāng)時(shí)三星沒(méi)有采用16nm的命名，而是稱之為14nmFinFET工藝，蘋果則將A9處理器同時(shí)交給了三星和臺(tái)積電代工，成為檢驗(yàn)它們工藝水平的利器，最終三星以14nmFinFET工藝生產(chǎn)的A9處理器功耗過(guò)高，而臺(tái)積電以16nmFinFET工藝生產(chǎn)的A9處理器功耗更佳，最終奠定了臺(tái)積電在先進(jìn)工藝方面領(lǐng)先的美名。

如今在3nm工藝上，臺(tái)積電和三星又展開了較量，然而從結(jié)果來(lái)看，這次兩家芯片制造企業(yè)都沒(méi)有獲益，它們的3nm工藝似乎都已經(jīng)失敗了，臺(tái)積電已開始推進(jìn)3nm工藝的改良版N3E，三星方面估計(jì)也得加緊改進(jìn)3nm工藝。

在先進(jìn)工藝的研發(fā)方面，臺(tái)積電和三星不僅面臨技術(shù)難題，如今它們還面臨著市場(chǎng)的壓力，由于3nm工藝的成本過(guò)高，此前除了Intel和蘋果計(jì)劃采用之外，并無(wú)其他芯片企業(yè)愿意采用，如今它們?cè)诩夹g(shù)上又未能達(dá)標(biāo)，再加上全球芯片行業(yè)陷入衰退更看重成本，它們改良后是否會(huì)有芯片企業(yè)采用也是問(wèn)題，可以說(shuō)它們?nèi)缃褚严萑雰呻y。