比如5nm的驍龍888，有火龍之稱。然后4nm的高通驍龍8Gen1，一樣是火龍，同時(shí)因?yàn)榱悸侍停桓咄ㄏ訔墸詈蟾咄▽⒂唵无D(zhuǎn)給臺(tái)積電，生產(chǎn)驍龍8+了。

而臺(tái)積電生產(chǎn)的驍龍8+，也是4nm工藝，但明顯比驍龍8Gen1性能強(qiáng)，功耗低，發(fā)熱小。

按照媒體的爆料，三星4nm工藝的良率只有35%左右。后來(lái)更是爆料稱，在3nm時(shí)，三星雖然采用了更先進(jìn)的GAAFET晶體管技術(shù)，但良率卻更低了，只有10-20%，糟糕的令人發(fā)指。

所以客戶們都不愿意按晶圓片數(shù)來(lái)計(jì)算訂單了，只愿意按照成口芯片數(shù)來(lái)計(jì)算，因?yàn)榱悸实?，成本太高，IC廠商們都抗不住。

那么三星的良率這么糟糕，臺(tái)積電的又怎么樣呢？近日是有媒體披露了一頁(yè)臺(tái)積電的PPT內(nèi)容，上面顯示，N3E 工藝進(jìn)展非常好，平均達(dá)到了80%以上。

如果屬實(shí)，那么就意味著臺(tái)積電的良率是三星的4倍，同樣條件下，三星生產(chǎn)一顆芯片，臺(tái)積電就能生產(chǎn)4顆，這差距就太大了，不知道三星看了會(huì)不會(huì)羨慕嫉妒恨？

三星一直想在在代工領(lǐng)域超過(guò)臺(tái)積電，特別是3nm時(shí)，更是憋了一口氣，率先量產(chǎn)，更是采用了GAAFET晶體管技術(shù)，就是想先領(lǐng)先臺(tái)積電一步，然后再慢慢把優(yōu)勢(shì)擴(kuò)大，最終超過(guò)臺(tái)積電。

但從現(xiàn)在這個(gè)良率來(lái)看，三星的路還很長(zhǎng)，要努力的地方還有很多，畢竟良率差這么多，客戶選擇誰(shuí)，這不是明擺著的么？

按照臺(tái)積電的資料，3nm工藝，功耗降低 34％，性能提升18%，晶體管密度也可以提升至少18%，明年全面量產(chǎn)，就看到時(shí)候與三星相比，究竟誰(shuí)更厲害了。