中商情報網(wǎng)訊：隨著新能源汽車賽道爆發(fā)，碳化硅市場進入蓬勃發(fā)展階段。碳化硅作為目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最熱門的賽道之一，吸引了眾多半導(dǎo)體大廠以及初創(chuàng)新銳力量參與其中。中國當下的智能汽車變革浪潮，為碳化硅模塊的發(fā)展帶來了新的機遇和新的挑戰(zhàn)。

市場規(guī)模

碳化硅功率器件又稱電力電子器件，主要應(yīng)用于電力設(shè)備電能變換和控制電路方面的大功率電子器件，有功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。

隨著技術(shù)突破和成本的下降，SiC器件預(yù)計在不遠的將來會大規(guī)模的應(yīng)用于各個領(lǐng)域。根據(jù)數(shù)據(jù)，2018年和2021年碳化硅功率器件市場規(guī)模分別約4億和9.3億美元，復(fù)合增速約32.4%，按照該復(fù)合增速，中商產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)計2022年碳化硅功率器件市場規(guī)模約10.9億美元。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展，碳化硅器件市場規(guī)模增速可觀。

數(shù)據(jù)來源：Yole、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

成本結(jié)構(gòu)

碳化硅在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域中是第三代半導(dǎo)體材料代表之一，從碳化硅器件的制造成本結(jié)構(gòu)來看，襯底成本最大，占比達47%；其次是外延成本，占比為23%。這兩大工序是SiC器件的重要組成部分。其次分別為前段和研發(fā)費用，占比分別為19%和6%。

數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理