據(jù)重慶日?qǐng)?bào)報(bào)道，重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體科技有限公司 (以下簡(jiǎn)稱“重慶萬(wàn)國(guó)”) 已成功造出西南地區(qū)首顆獨(dú)立開發(fā)、設(shè)計(jì)并自行完成晶圓制造與封裝測(cè)試的 IGBT 元件。目前該 IGBT 元件通過用戶試用，預(yù)計(jì)今年年內(nèi)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 (IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor，即絕緣柵雙極型晶體管）

 

據(jù)悉，重慶萬(wàn)國(guó)在今年年初啟動(dòng) IGBT 元件項(xiàng)目研發(fā)，該元件具有飽和壓降低，開關(guān)損耗小，電流短路能力強(qiáng)等特點(diǎn)，可用于消費(fèi)電器與工業(yè)電器的動(dòng)能轉(zhuǎn)換。

重慶萬(wàn)國(guó)市場(chǎng)資深經(jīng)理李仁果介紹，在過去 12 個(gè)月的出貨量中，重慶萬(wàn)國(guó)做到每 10 億顆芯片中，不良率只有 3 顆。

目前，重慶萬(wàn)國(guó)已啟動(dòng)上市計(jì)劃，并已引入京東方等行業(yè)頭部企業(yè)或?qū)I(yè)投資機(jī)構(gòu)作為戰(zhàn)略投資人。下一步，重慶萬(wàn)國(guó)將進(jìn)一步加快半導(dǎo)體芯片及半導(dǎo)體芯片封裝的設(shè)計(jì)、制造、銷售，不斷推出創(chuàng)新產(chǎn)品。

百科知識(shí)

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET 驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT 綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為 600V 及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

IGBT 是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。

IGBT 模塊是由 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與 FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的 IGBT 模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS 不間斷電源等設(shè)備上。

IGBT 模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的 IGBT 也指 IGBT 模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來越多見。