就目前而言，芯片供應(yīng)依然是中國(guó)市場(chǎng)的“大問(wèn)題”，原本國(guó)內(nèi)的企業(yè)都和華為一樣，認(rèn)為尖端的產(chǎn)品本該就需要依靠全球供應(yīng)鏈，但在老美啟動(dòng)了相關(guān)限制之后，這一切都發(fā)生了改變。

由于國(guó)內(nèi)的工業(yè)基礎(chǔ)實(shí)力較差，因此在解決芯片問(wèn)題上，華為只能先往研發(fā)設(shè)計(jì)上靠，試圖通過(guò)當(dāng)方面技術(shù)的拔尖，以緩解在整個(gè)供應(yīng)鏈中的尷尬地位，但不曾想一舉一動(dòng)，都被歐美國(guó)家給“盯”著。

雖然華為設(shè)計(jì)出了5nm的芯片，在性能表現(xiàn)上一度趕超高通芯片，但好景不長(zhǎng)，在芯片規(guī)則不斷的升級(jí)之下，臺(tái)積電正式斷供了，華為的芯片也面臨停產(chǎn)的局面，高度依賴美技術(shù)體系的問(wèn)題也暴露了。

好在意識(shí)到問(wèn)題之后，國(guó)內(nèi)企業(yè)及時(shí)調(diào)整了方向，把更多的重心放在了技術(shù)的自研上，要想在芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)不被“卡脖子”，就得實(shí)現(xiàn)對(duì)于EDA設(shè)計(jì)軟件、指令集架構(gòu)的突破。

技術(shù)高地已經(jīng)被歐美企業(yè)占領(lǐng)，要想攻克顯然是要下點(diǎn)功夫，表面上看似被限制的“密不透風(fēng)”，但實(shí)則在華為的帶領(lǐng)之下，已經(jīng)找到了“生門”，只要能夠融合好國(guó)內(nèi)優(yōu)質(zhì)產(chǎn)業(yè)鏈，一切就都還有希望。

臺(tái)積電無(wú)可替代？

不得不承認(rèn)的是，臺(tái)積電是當(dāng)下最先進(jìn)的芯片廠商，目前已經(jīng)掌握了3nm的工藝，即便三星能夠匹配的上，但在良品率以及相關(guān)性能上，也還是存在很大差距，臺(tái)積電工藝也成為了各大芯片廠商的首選。

這樣的“一馬當(dāng)先”也讓臺(tái)積電充滿著自信，就在近日劉德音董事長(zhǎng)接受了采訪，其表態(tài)：“臺(tái)積電原材料、設(shè)備等等來(lái)自全球供應(yīng)鏈，就算有意外出現(xiàn)，臺(tái)積電工廠也無(wú)法運(yùn)作，先進(jìn)的芯片供應(yīng)也將就此中斷，將會(huì)帶來(lái)巨大的經(jīng)濟(jì)損失！”

而這句話雖然說(shuō)得很干脆，但實(shí)際上是有點(diǎn)自負(fù)的，雖然目前國(guó)內(nèi)、乃至全球的高精度芯片，都要依賴臺(tái)積電的代工，但這并不意味著臺(tái)積電就真的無(wú)可替代了嗎？

而關(guān)于這個(gè)問(wèn)題，倪光南院士早前就表態(tài)：“一旦28nm芯片的完全自主國(guó)產(chǎn)化能夠?qū)崿F(xiàn)，很多中下游的行業(yè)都能夠?qū)崿F(xiàn)自給自足，包括手機(jī)以外的電子產(chǎn)品也是一樣?！?/span>

而如今28nm的光刻機(jī)，國(guó)內(nèi)廠商已經(jīng)具備組裝工藝了，在核心技術(shù)上均已實(shí)現(xiàn)了突破，目前國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的工藝為14nm，在良品率上足以比肩臺(tái)積電，這就很好的體現(xiàn)了，臺(tái)積電并非無(wú)可替代。

國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈在發(fā)力

相關(guān)限制已經(jīng)啟動(dòng)三年時(shí)間，經(jīng)過(guò)一系列的籌備，中國(guó)市場(chǎng)在芯片領(lǐng)域，已經(jīng)有了一個(gè)很好的方向，涉及到了芯片供應(yīng)鏈的方方面，在指令集架構(gòu)上也迎來(lái)了突破。

龍芯中科已經(jīng)利用自研的LoongArch架構(gòu)，研發(fā)制造出了完全自主化芯片，并且已經(jīng)用于精密的高工領(lǐng)域，另外在開源的RISC-V架構(gòu)方面，華為和阿里都相繼誕生了芯片，技術(shù)上已經(jīng)實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先。

在最為關(guān)鍵的EDA設(shè)計(jì)軟件上，在華為資金的輔助之下，也已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了相應(yīng)的國(guó)產(chǎn)化，再過(guò)不久問(wèn)題就能夠得到解決了，目前國(guó)內(nèi)也已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了5G射頻芯片的自主化，很快就能夠應(yīng)用到基站以及手機(jī)上。

在有了中科院的加入之后，國(guó)內(nèi)企業(yè)也在積極配合共同研發(fā)光刻設(shè)備，目前在刻蝕機(jī)以及離子注入機(jī)上，都已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)，甚至已經(jīng)進(jìn)入到了臺(tái)積電的生產(chǎn)線之內(nèi)。

而距離國(guó)產(chǎn)的28nm光刻機(jī)誕生，也只有一步之遙了，目前還差最重要的一步，就是如何實(shí)現(xiàn)工藝的結(jié)合，但這個(gè)問(wèn)題短期之內(nèi)肯定是能夠?qū)崿F(xiàn)突破的，屆時(shí)就能夠打造出完全自主化的芯片產(chǎn)能了。

只要能夠?qū)崿F(xiàn)14nm芯片的國(guó)產(chǎn)化，配合上華為的芯片堆疊工藝，就能夠利用兩顆芯片進(jìn)行疊加，實(shí)現(xiàn)不亞于7nm芯片的性能，屆時(shí)華為的手機(jī)芯片供應(yīng)問(wèn)題，同樣也能夠得到有效的解決。

7nm工藝已經(jīng)能夠滿足95%以上的市場(chǎng)需求，從中長(zhǎng)期的規(guī)劃布局來(lái)看，5nm以下的芯片已經(jīng)出現(xiàn)產(chǎn)能過(guò)剩的情況，因此對(duì)于臺(tái)積電而言越往下發(fā)展，先進(jìn)工藝研發(fā)的時(shí)間越會(huì)被拉長(zhǎng)，對(duì)其是越不利的。

顯然如今的臺(tái)積電已經(jīng)陷入了兩難的境地，只能通過(guò)不斷研發(fā)新的工藝，以保持在領(lǐng)域內(nèi)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，后續(xù)也將變得更加被動(dòng)，所以臺(tái)積電根本就不是無(wú)可替代的，對(duì)此你們?cè)趺纯矗?/span>