在芯片代工領(lǐng)域，三星想要干掉臺(tái)積電的目標(biāo)，已經(jīng)提出很久了，最早可以追溯到2009年，當(dāng)時(shí)三星就有一個(gè)秘密計(jì)劃，稱(chēng)之為Kill Taiwan（干掉臺(tái)灣），其實(shí)就是干掉臺(tái)積電。

而在2015年的時(shí)候，其實(shí)三星找到了一次機(jī)會(huì)，那一年三星在梁孟松的主導(dǎo)下，從28nm跳過(guò)20nm，率先量產(chǎn)了14nm FinFET芯片，依靠了臺(tái)積電至少半年。

鑒于三星在技術(shù)上確實(shí)是越越了臺(tái)積電，于是蘋(píng)果也將自己的A9芯片，分出一半交給三星代工，采用三星14nm工藝，另外一半則是臺(tái)積電16nm，這搞得臺(tái)積電壓力山大。

不過(guò)后來(lái)，隨著A9芯片發(fā)布，大家發(fā)現(xiàn)雖然三星14nm看起來(lái)更領(lǐng)先，但實(shí)際使用的效能與良率輸給臺(tái)積電。

所以到A10時(shí)，蘋(píng)果還是將訂單給了臺(tái)積電，放棄了三星。

事實(shí)上，如果三星在10nm時(shí)，還能夠領(lǐng)先臺(tái)積電，并保持好的功耗等，還是有機(jī)會(huì)超過(guò)臺(tái)積電的，畢竟14nm時(shí)已經(jīng)領(lǐng)先了啊。

而在10nm上時(shí)，三星也是領(lǐng)先臺(tái)積電，率先推出了10nm。但是，可能由于技術(shù)問(wèn)題，10nm芯片變成了火龍，高通835就是最好的例子。

于是三星超過(guò)臺(tái)積電的第一次機(jī)會(huì)，就這樣失去了，最后到7nm、5nm，三星都在技術(shù)上，不如臺(tái)積電。

不過(guò)，今年三星又迎來(lái)了第二次干掉臺(tái)積電的機(jī)會(huì)。

在3nm工藝上，三星領(lǐng)先臺(tái)積電，再次率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)了，就如當(dāng)初的14nm FinFE工藝一樣。并且三星率先實(shí)現(xiàn)了GAAFET晶體管技術(shù)的量產(chǎn)。

按照三星的說(shuō)法，3nm芯片相比于自己的5nm芯片，性能提升了23％，功耗降低了45％，芯片面積縮小了16％。

而第二代3nm工藝，功耗降低達(dá) 50％，性能提高 30％，面積減少 35％，比第一代又提升很多。

很明顯，三星只要保證良率，在能耗上表現(xiàn)出色，同時(shí)產(chǎn)能跟上來(lái)，那么這一次是非常有可能干掉臺(tái)積電的。

當(dāng)然，3nm還只是開(kāi)端，更關(guān)鍵的是2nm，畢竟工藝的競(jìng)爭(zhēng)，一代還不夠，兩代保持住領(lǐng)先，基本上有戲了。

所以為了干掉臺(tái)積電，三星還為自己找了一個(gè)最強(qiáng)大的盟友，那就是美國(guó)，日本將與美國(guó)合作，最早于2025年在本土量產(chǎn)2納米芯片。

接下來(lái)就看三星能不能好好利用住自己在3nm上領(lǐng)先的優(yōu)勢(shì)，再在2nm時(shí)把優(yōu)勢(shì)擴(kuò)大了，如果能，那么非常有可能真的要把臺(tái)積電干掉了。