中商情報網(wǎng)訊：半導(dǎo)體存儲器一般指半導(dǎo)體集成存儲器。 用半導(dǎo)體集成電路工藝制成的存儲數(shù)據(jù)信息的固態(tài)電子器件。簡稱半導(dǎo)體存儲器。它由大量相同的存儲單元和輸入、輸出電路等構(gòu)成。

市場規(guī)模

半導(dǎo)體存儲器作為電子系統(tǒng)的基本組成部分，是現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)應(yīng)用最為廣泛的電子器件之一。隨著現(xiàn)代電子信息系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲需求指數(shù)級增長，半導(dǎo)體存儲出貨量持續(xù)大幅增長，另一方面，由于存儲晶圓制程基本按照摩爾定律不斷取得突破，單位存儲成本在長期曲線中呈現(xiàn)單邊下降趨勢，市場的總體規(guī)模在短期供需波動中總體保持長期增長趨勢。市場規(guī)模2020年的1174.82億美元，同比增長10.35%，預(yù)計2022年將增長至1300億美元。

數(shù)據(jù)來源：WSTS 、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理

市場結(jié)構(gòu)

半導(dǎo)體存儲市場中，DRAM 和 NAND Flash 占據(jù)主導(dǎo)地位，全球半導(dǎo)體存儲器市場中 DRAM 占比達(dá) 58%，NAND Flash 約占40%，此外 NOR Flash 占據(jù)約 1%的市場份額。

隨著電子產(chǎn)品對即時響應(yīng)速度和數(shù)據(jù)處理速度的要求不斷提高和 CPU 升級迭代，DRAM 器件的主流存儲容量亦持續(xù)擴(kuò)大。近年來隨著 NAND Flash 技術(shù)不斷發(fā)展，單位存儲成本的經(jīng)濟(jì)效益不斷優(yōu)化，應(yīng)用場景持續(xù)拓展，用戶需求不斷攀升。在長期增長的總體趨勢下，DRAM 和 NAND Flash 的短期市場規(guī)模與產(chǎn)品價格受到晶圓技術(shù)迭代與產(chǎn)能投放、下游終端市場需求、渠道市場備貨，以及全球貿(mào)易環(huán)境等多重因素影響，供求平衡較為敏感。

數(shù)據(jù)來源：IC Insights、中商產(chǎn)業(yè)研究院整理