三星官方在上個(gè)月末宣布，其位于韓國的華城工廠開始生產(chǎn)3nm芯片。這是目前半導(dǎo)體制造工藝中最先進(jìn)的技術(shù)，三星也成為了全球唯一一家提供采用下一代全新GAA（Gate-All-Around）架構(gòu)晶體管技術(shù)，提供3nm工藝代工服務(wù)的代工企業(yè)。

據(jù)Business Korea報(bào)道，三星計(jì)劃在2022年7月5日在華城工廠舉行3nm GAA芯片的首次發(fā)貨儀式，三星設(shè)備解決方案部分負(fù)責(zé)人慶桂顯和韓國工業(yè)貿(mào)易資源部長李昌陽都會(huì)出席。據(jù)了解，首個(gè)客戶是上海磐矽半導(dǎo)體，這批芯片將用于加密貨幣業(yè)務(wù)。

有消息指出，三星可能會(huì)使用3nm工藝制造Exynos 2300，或用于明年的Galaxy S23系列，不過前一段有報(bào)道稱，其表現(xiàn)不達(dá)預(yù)期，Galaxy S23系列可能全部采用高通的解決方案。此外，谷歌第三代Tensor芯片也可能采用三星3nm工藝，將用于Pixel 8系列。高通在即將發(fā)布的Snapdragon 8 Gen2上選擇了臺積電的4nm工藝，如無意外并不會(huì)出現(xiàn)三星制造的版本。

三星表示，與原來采用FinFET的5nm工藝相比，初代3nm GAA制程節(jié)點(diǎn)在功耗、性能和面積（PPA）方面有不同程度的改進(jìn)，其面積減少了16%、性能提高23%、功耗降低45%。到了第二代3nm芯片，面積減少了35%、性能提高30%、功耗降低50%。這也是三星首次實(shí)現(xiàn)GAA“多橋-通道場效應(yīng)晶體管（MBCFET）”應(yīng)用，打破了FinFET原有的性能限制，通過降低工作電壓水平來提高能耗比，同時(shí)還通過增加驅(qū)動(dòng)電流增強(qiáng)芯片性能。