為因應(yīng)日益復(fù)雜的RFIC 設(shè)計(jì)要求，新思科技(Synopsys) 近日宣布針對臺積電N6RF 制程推出最新的RF 設(shè)計(jì)流程，此乃新思科技與安矽斯科技(Ansys) 和是德科技(Keysight) 共同開發(fā)的最先進(jìn)RF CMOS 技術(shù)，可大幅提升效能與功耗效率。該流程可協(xié)助其共同客戶實(shí)現(xiàn)5G 晶片的功耗與效能優(yōu)化，同時加速設(shè)計(jì)效率，從而加快產(chǎn)品的上市時程。

臺積電設(shè)計(jì)建構(gòu)管理處副總經(jīng)理Suk Lee 表示，臺積電與新思科技近期的合作著重于新一代無線系統(tǒng)的挑戰(zhàn)，讓設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)樵絹碓交ヂ?lián)的世界提供更好的連接、更高的頻寬、更低的延遲(latency) 以及更廣的覆蓋范圍(coverage)。有了來自新思科技、安矽斯科技與是德科技緊密整合的高品質(zhì)解決方案，臺積電全新的針對N6RF 制程的設(shè)計(jì)參考流程提供了一個現(xiàn)代且開放的方法，能提升復(fù)雜IC 開發(fā)的生產(chǎn)效率。

由于互聯(lián)世界的需求，用于收發(fā)器 (transceiver) 和 RF 前端元件 (front-end component) 等無線資料傳輸系統(tǒng)的RFIC 變得日趨複雜。這些新一代無線系統(tǒng)有望在更多連接的裝置上提供更高的頻寬、更低的延遲以及更廣的覆蓋范圍。為了確保 RFIC 能夠滿足這些要求，設(shè)計(jì)人員必須準(zhǔn)確地衡量 RF 的效能、頻譜 (spectrum)、波長和頻寬等參數(shù)。

新的RF 設(shè)計(jì)參考流程采用領(lǐng)先業(yè)界的電路模擬、布局生產(chǎn)效率以及精確的電磁(EM) 建模和電子遷移/IR 壓降(electromigration/IR-drop EMIR) 分析，可縮短設(shè)計(jì)周轉(zhuǎn)時間(turnaround time)。該流程包括了新思科技的Custom Compiler 設(shè)計(jì)和布局產(chǎn)品、PrimeSim 電路模擬產(chǎn)品、StarRC 寄生萃取簽核(parasitic extraction signoff) 產(chǎn)品與IC Validator 物理驗(yàn)證產(chǎn)品，以及安矽斯科技的VeloceRF 電感元件(inductive component) 與傳輸線合成產(chǎn)品、先進(jìn)的納米電磁(EM) 分析產(chǎn)品RaptorX 和RaptorH，以及Totem-SC，此外，還有是德科技用于EM 模擬的PathWave RFPro。

新思科技工程副總裁Aveek Sarkar 說，為了實(shí)現(xiàn)5G 設(shè)計(jì)的關(guān)鍵差異化優(yōu)勢，新思科技持續(xù)帶來強(qiáng)大的RF 設(shè)計(jì)解決方案，其整合了電磁合成(electromagnetic synthesis)、萃取、設(shè)計(jì)、布局、簽核技術(shù)和模擬工作流程。由于新斯科技與臺積電的深入合作，加上與安矽斯科技和是德科技的堅(jiān)實(shí)關(guān)系，因此客戶得以使用新思客制化設(shè)計(jì)系列的先進(jìn)功能，運(yùn)用臺積公司針對5G 應(yīng)用的先進(jìn)N6RF 技術(shù)，提高生產(chǎn)力并實(shí)現(xiàn)矽晶成功。