據(jù)商業(yè)和技術(shù)資訊電子材料咨詢機構(gòu)《TECHCET》報告顯示，2021 年全球電子特氣市場營收達63 億美元，預計2022 年將再成長8%，到2026 年年復合成長率高達9%。增長的主要原因歸功于半導體產(chǎn)業(yè)對于電子特氣的需求。隨著先進邏輯芯片和新世代存儲芯片需求不斷增加，蝕刻、沉積、真空腔室清潔及其他應用的特種氣體需求將越來越多。

 

近期，近期氦、氖等關(guān)鍵工業(yè)氣體有供應問題，長遠看隨著產(chǎn)業(yè)需求增加，三氟化氮(NF3)、六氟化鎢(WF6) 等氣體供需平衡可能逐漸改變。另外，俄烏沖突使工業(yè)氣體供應也面臨壓力，俄羅斯的氦氣和稀有氣體出口禁令將延長，造成氦和氖等稀有氣體供應短缺。俄烏沖突只是氦、氖短缺問題部分原因，還有設(shè)備維護、運輸物流、其他氦氣產(chǎn)區(qū)供應分配等都加劇供應鏈吃緊。

近幾年內(nèi)新半導體工廠全球設(shè)立投產(chǎn)相對有限，除了氦氣與氖氣，乙硼烷(B2H6)、六氟化鎢(WF6)、三氟化氮(NF3)、四氟化碳(CF) 等都可能出現(xiàn)供應壓力，因為預計需求增長將超過供應量。半導體制造提高晶圓廠生產(chǎn)能力，對光罩至關(guān)重要的乙硼烷(B2H6) 需求也快速增加。

更多CVD / ALD 沉積技術(shù)過程添加多圖形化和EUV 微影曝光，使清潔需求也在增加。報告表示真空腔室清潔用三氟化氮快速成長，預測需求可能超過供應，導致2025~2026 年三氟化氮供應將吃緊。

報告預計，六氟化鎢也可能會在2025~2026 年出現(xiàn)供應問題，因NAND Flash 正往更高堆疊術(shù)發(fā)展，鎢對源極接觸、汲極接觸之金屬填充、金屬閘極填充及閘極接觸都是必需材料。不過以鉬(Mo) 取代鎢(W) 有可能性，有機會避免六氟化鎢短缺問題。