如果關(guān)注關(guān)刻機技術(shù)的人都清楚，目前有兩種光刻機，一種是DUV，一種是EUV。

其中EUV用于7nn及以下芯片的光刻，DUV用于7nm以上的芯片光刻。而DUV光刻機，基本上都是采用浸潤式原理。

即在光刻機中，采用水為介質(zhì)，讓193nm波長的光線，進入水中進行折射后，讓波長變成132納米，從而實現(xiàn)從45nm－10nm級別的光刻。

事實上，在浸潤式光刻機推出之前，業(yè)界采用的均是干式光刻機，即介質(zhì)為空氣，193nm波長的光線，直接進行光刻。

而在干式光刻機技術(shù)中，尼康、佳能才是巨頭。至于ASML，還只是一個小工廠，與尼康、佳能完全不是一個級別的。

后來是ASML押寶浸潤式光刻機，某了尼康、佳能的命，把尼康、佳能踩在了腳下。

那么問題就來了，為何偏偏是ASML？

事實上，在光刻機采用193nm波長后，芯片工藝達到了65nm了，接下來芯片工藝是朝著45nm前進。但193nm的光線，感覺不夠精細，所以業(yè)界把光刻的光線瞄向了157nm的波長上。

但157nm這個波長的光線，很不好，這種光線穿透率很差，這就需要光罩材質(zhì)要改進，鏡頭技術(shù)也改進。另外氧氣會吸收157納米的光，所以干式介質(zhì)中，不能有氧氣，要采用氮氣。反正就是157nm波長的光線，難題一大堆，非常不好解決。

這時候在臺積電工作的林本堅，提出了一個觀點，為何一定要用干式介質(zhì)呢？用水來當介質(zhì)也可以的。

并且在經(jīng)過不斷的試驗之后，他發(fā)現(xiàn)193nm波長的光線經(jīng)過水折射后，波長變?yōu)?32nm了，這個波長跳過了157nm這個討厭的波長，又解決了問題，豈不是兩全齊美？

但這時候像尼康、佳能等早就在157nm波長上投入了幾十億美元研究，并且認為157nm波長才是方向，所謂的浸潤式技術(shù)上并不可行，所以沒怎么理會。

只有ASML因為是小廠，反正光腳的不怕穿鞋的，覺得可以賭一把，于是用這個技術(shù)，趕出來了一臺試驗性的浸潤式光刻機，并把一些試驗出來的結(jié)果給臺積電看。

臺積電一看，覺得技術(shù)完全可行，于是臺積電和ASML兩家公司一起努力，研發(fā)浸潤式光刻機了。

而這時像尼康、佳能等，還說林本堅是在攪局，甚至想通過高層來阻止林本堅研發(fā)浸潤式光刻機，因為他們在157nm波長光刻機上投入太多了，還聯(lián)合了產(chǎn)業(yè)鏈一起向157nm推進，不可能半途而廢，那幾十億美元打了水漂了，給產(chǎn)業(yè)鏈也沒法交待。

最后就是ASML與臺積電研發(fā)浸潤式光刻機成功了，而研發(fā)157nm波長光刻機的尼康、佳能沒有拿出可靠的產(chǎn)品出來。

于是后來所有的晶圓廠，都轉(zhuǎn)向了ASML生產(chǎn)的浸潤式光刻機，當尼康、佳能轉(zhuǎn)向浸潤式光刻機時，已經(jīng)落后ASML三、四年了。

所以最后，尼康、佳能只能看著ASML越來越火，最后還推出了EUV光刻機，他們卻慢慢的被淘汰掉了……