圖源：網(wǎng)絡(luò)

消息，中國通信設(shè)備巨頭華為提出了一種適用于3D-DRAM構(gòu)建的垂直通道全能（channel-all-around，CAA）晶體管。

據(jù)eeNews報道，該提案被包含在一篇論文中，將在2022年IEEE超大規(guī)模集成電路技術(shù)和電路研討會上提交，該研討會定于6月12日至17日在夏威夷檀香山舉行。

該器件是一種銦鎵氧化鋅（IGZO）場效應晶體管（FET），其IGZO、高k電介質(zhì)氧化鉿和IZO層圍繞一個垂直柱排列。IGZO厚度約為3nm。HfOx和IZO的厚度約為8nm。垂直方向的通道長度為55nm，平面內(nèi)的臨界尺寸為50nm。

該晶體管在Vth+1V時達到32.8microamps/micron的電流密度，亞閾值擺幅為92mV/decade。

作者聲稱，在-40攝氏度到+120攝氏度之間，該晶體管具有良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，有望成為未來超越1-alpha節(jié)點的高性能3D-DRAM的候選產(chǎn)品。