2022年全球IGBT市場規(guī)模及競爭格局預(yù)測分析（圖）
2022-05-18
來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院
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關(guān)鍵詞： 半導(dǎo)體
中商情報網(wǎng)訊：新型功率半導(dǎo)體器件IGBT是電力電子行業(yè)的“CPU”，IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。
市場規(guī)模
近年來，全球IGBT市場規(guī)模一直變成增長趨勢，2020年市場規(guī)模約為66.5億美元，中國市場約占全球市場的 40%。預(yù)計2022年將進一步增長至80.8億美元。
數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
競爭格局
目前IGBT行業(yè)國產(chǎn)率較低，行業(yè)整體集中度較高，2020年前三企業(yè)占整體市場達51%。其中英飛凌占比最多，達27%。三菱排名第二，占比14%。安森美占比10%，位居第三。
數(shù)據(jù)來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
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