4月18日，據(jù)DIGITIMES報(bào)道，三星電子的3nm GAA工藝良率仍遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于其目標(biāo)。根據(jù)一份報(bào)道，三星正在努力提高其3nm GAA工藝良率，該工藝良率剛剛達(dá)到10%至20%之間。三星4nm工藝制造的良率也低于預(yù)期，僅為30%-35%。

市場(chǎng)消息人士認(rèn)為，三星第一代3nm GAA工藝將首先用于三星自研芯片的制造，該工藝不太可能被外部客戶采用。但該消息人士稱，三星的第二代3nm工藝將為外部客戶的芯片設(shè)計(jì)做好準(zhǔn)備，預(yù)計(jì)明年開始量產(chǎn)。

據(jù)稱，三星電子規(guī)劃今年實(shí)現(xiàn)3納米制程芯片量產(chǎn)，不過業(yè)內(nèi)傳言當(dāng)前工藝（3GAE）的試產(chǎn)良率不盡如人意，僅達(dá)到約兩成，低良率帶來的高成本，使三星在3納米工藝量產(chǎn)初期可能僅用于自有產(chǎn)品生產(chǎn)。