上周，英特爾位于愛爾蘭的Fab 34晶圓廠完成了第一臺(tái)EUV光刻機(jī)的安裝，而這也是歐洲首個(gè)具備EUV工藝的晶圓廠。

而按照intel的說法，F(xiàn)ab 34工廠將在下半年量產(chǎn)intel 4工藝，也就是7nm，比預(yù)計(jì)的時(shí)間可能會(huì)提前一點(diǎn)點(diǎn)。

為何intel要將7nm，命名為intel 4？很多網(wǎng)友表示，這是因?yàn)閕ntel覺得自己的7nm，可以對標(biāo)臺(tái)積電、三星的4nm工藝，所以搞了個(gè)4出來，從命名上扳回一局，掩蓋自己的工藝落后的尷尬局面。

那么intel的7nm究竟有多厲害？能不能與臺(tái)積電、三星的4nm相媲美？我們還是按照摩爾定律的基本原則來說一說。

摩爾定律里面關(guān)于芯片的性能，主要是以晶體管密度為基礎(chǔ)的，說是每18個(gè)月，晶體管密度就要翻一倍，所以我們也說晶體管密度這個(gè)指標(biāo)，可能比較靠譜一點(diǎn)。

如上圖所示，英特爾的7nm工藝，其晶體管密度是1．8億個(gè)每平方毫米。

而臺(tái)積電的5nm工藝，其晶體管密度是1．73億個(gè)每平方毫米，說起來比intel的7nm還差一點(diǎn)。

至于臺(tái)積電的3nm工藝，晶體管密度則達(dá)到了2．9億個(gè)每平方毫米，與intel的5nm，也就是intel 3工藝差不多了。

再看看三星，5nm工藝時(shí)，晶體管密度是1．27億個(gè)每平方毫米，確實(shí)比不上英特爾的7nm。甚至三星的3nm時(shí)，其晶體管密度也只有1．7億個(gè)晶體管每平方毫米，比臺(tái)積電的5nm還遜色一點(diǎn)，自然也比不過英特爾的7nm了。

由此可見，英特爾拿7nm工藝來取個(gè)intel 4工藝，對標(biāo)臺(tái)積電、三星的4nm是真的沒錯(cuò)的。同樣類推，我們還可以得出intel 3工藝，其實(shí)是5nm工藝，對標(biāo)的是臺(tái)積電的3nm。

其實(shí)過去的這幾年以來，很多人都說臺(tái)積電、三星的XXnm工藝造假，連高通曾經(jīng)都這樣表示過，但對于芯片廠商們而言，更先進(jìn)的工藝，更有噱頭，更有賣點(diǎn)，所以大家也都不介意它不是不造假了，甚至是大家一起努力將這個(gè)假的變成真的。

只有英特爾一直在遵循摩爾定律，最后倒讓大家認(rèn)為它工藝落后了，所以將自己的工藝改名，讓大家看不出具體是XXnm來，也算是英特爾耍的一個(gè)“小聰明”。